| 主权项 |
1.一种从一热敏材料基体形成热感知器阵列的方法,该基体含有一红外线吸收剂及共同电极组件部份连接至该基体,该方法包含下列步骤:在该基体之一侧,形成第一层导电接触层,以至少部份形成上罩及未上罩区;在该第一层接触层上,形成第二导电接触层;应用一罩层包封该第二层接触层的曝露部位;将该基体之未上罩区曝露在一蚀刻剂中;应用电磁能量,再次辐射该未上罩区,以实质上增加该未上罩区及该蚀刻剂间的反应度;且其中于再辐射步骤期间,该蚀刻剂蚀刻该未上罩区的速度大致上快于该第一层接触层及该罩层。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该蚀刻剂包含氯溶液。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该再辐射的步骤包含应用紫外光再辐射该未上罩区。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该再辐射的步骤期间,该蚀刻剂蚀刻未上罩区而至该红外线吸收剂及共同电极组件。5.如申请专利范围第1项之方法,更包含下列步骤:在红外线吸收剂及共同电极组件之间形成一蚀刻停止部,且该基体一般与该未上罩区对齐;且其中于再辐射步骤期间,该蚀刻剂蚀刻该未上罩区至该蚀刻停止部,其蚀刻该未上罩区的速率大致上快于该蚀刻停止部。6.如申请专利范围第5项之方法,其中该蚀刻停止部形成一开口,此开口曝露该红外线吸收剂及共同电极组件部位,该方法更包含蚀刻该红外线吸收剂及共同电极组件之曝露部位,以在其中形成开孔。7.如申请专利范围第1项之方法,其中该基体包含钡锶钛化物。8.如申请专利范围第1项之方法,其中该蚀刻剂包含百分之十的HCI水溶液。9.如申请专利范围第1项之方法,其中该接触层的材料从下群中选择:镍,镍铬合金,铂,钛,钨,钛,钯,锶,铑之氧化物。10.如申请专利范围第1项之方法,其中该电磁能量之波长小于400nm。11.如申请专利范围第1项之方法,其中该蚀刻剂之材料从下群中选择:NH4CL,NaCL,FH,HBr,HI,NH4F,NH4Br,CaF2,KBr及NaI。12.一种从热电基体上形成热感知器阵列之方法,该基体含置于其一侧的红外线吸收剂及共同电极组件,包含:在该基体的另一侧上形成第一层导电接触层,以形成上罩及未上罩区;在该第一层接触层的另一侧上形成第二层导电接触层;应用一罩层包封该第一层接触层,及第二层接触层之曝露部位;将该未上罩区曝露在一蚀刻剂中;应用电磁能量再辐射该未上罩区,以大致上增加该未上罩区及该蚀刻剂间的反应度;且其中于再辐射步骤期间,该蚀刻剂蚀刻该未上罩区,其速率大致上快于该罩层。13.如申请专利范围第12项之方法,更包含步骤如下:在该各个第二层接触层上形成一冲击附着层;及应用该罩层包封该附着层的曝露部位。14.如申请专利范围第12项之方法,其中该再辐射步骤应用紫外光再辐射该基体。15.如申请专利范围第12项之方法,其中该再辐射的步骤期间,该蚀刻剂以实质上较快的速度蚀刻未上罩区而至该红外线吸收剂及共同电极组件。16.如申请专利范围第12项之方法,更包含步骤如下:在该红外线吸收剂及共同电极组件间形成一蚀刻停止部,且一般该基体对齐该上罩区;且其中于再辐射步骤期间,该蚀刻剂蚀刻该未上罩区,使其以大致上较快的速度至该蚀刻停止部。17.如申请专利范围第16项之方法,其中该蚀刻停止部形成一开口,此开口曝露该红外线吸收剂及共同电极组件部位,该方法更包含蚀刻该红外线吸收剂及共同电极组件之曝露部位,以在其中形成开孔。18.如申请专利范围第17项之方法,其中该蚀刻停止部包含一与该基体相邻的共同电极,且其中该蚀刻停止部形成曝露该电极部位的开口,该方法更包含蚀刻过该电极的曝露部位以于其间形成开孔。19.如申请专利范围第12项之方法,其中该基体包含钡锶钛化物。20.一种半导体结构包含:一含红外线吸收剂及共同电极组件连接至其一侧而由热感知材料形成的热电基体;置于该基体之另一侧的第一层导体接触层,以形成上罩及未上罩区;一第二层导电接触层,置于该第一层接触层上;一罩层,其包含该第二接触层的曝露部位;一罩层,其包封该第二层接触层之曝露部位;且其中在该上罩区应用电磁能量再辐射期间,一蚀刻剂蚀刻该遗留部位,其速度上大致上快于该罩层。21.如申请专利范围第20项之半导体结构,其中该罩层包封该第一层接触层的曝露部位。22.如申请专利范围第20项之半导体结构,更包含:一置于该第二层接触层上的冲击附着层;且该罩层包封该冲击附着层之曝露部位。23.如申请专利范围第20项之半导体结构,更包含:介于该基体,该红外线吸收剂及共同电极组件间的一蚀刻停止部,且一般该基体与该未上罩区对齐;及在该蚀刻止部上形成的开口,以在该红外线吸收剂及共同电极组件间蚀刻开孔。24.如申请专利范围第20项之半导体结构,其中该基体包含钡锶钛化物。25.如申请专利范围第20项之半导体结构,其中该罩层包含掺杂有选择迁移金属的织成二氧化矽。26.如申请专利范围第20项之半导体结构,其中该罩层的材料从下群中选择:SiO2,Si3N4,Al2O3,B2O3及Ta2O5。27.如申请专利范围第20项之半导体结构,其中该罩层包含织成(spun-on)二氧化矽,其材料从下群中选择:铁,钯,镁图示简单说明:为了更进一步了解本发明及其优点,请参考下列说明及附图,其中图1为一热影像系统部位之透视图,该系统可由本发明之技术形成。图2A示在基体之一侧上形成的电磁辐射蚀刻罩结构之切面部位,该基体含与其另一侧连接之红外线吸收剂及共同电极组件部位。图2B为图2A之电磁辐射蚀刻罩结构之另一实施例。图3A示在基体之一侧上形成之组合乾式蚀刻/辐射蚀刻罩结构的切面部位,该基体含与其另一侧连接之红外线吸收剂及共同电极组件;图3B为曝露至一选择乾式蚀刻程序后,图3A之基体及罩结构。图4A为图3A中乾式蚀刻/辐射蚀刻罩结构的另一实施例;图4B曝露至一选择乾式蚀刻程序后,图4A之基体及罩结构;以及图5示曝露至一电磁辐射蚀刻程序后图2A-B,3B及4B中的基体及罩结构。 |
