| 主权项 |
1.一种制造高压p沟道金属氧化物半导体(PMOS)元件之方法,包含下列步骤:提供一高压PMOS元件,有一轻度掺杂之漂移部位靠近沟道部位;以及在漂移部位之一靠近沟道部位之边缘植入另外之杂质浓度。2.一种制造高压p沟道金属氧化物半导体(PMOS)元件之方法,包含下列步骤:形成一轻度掺杂之高压漂移部位p槽至一深度,有一p型杂质浓度靠近一n型沟道部位;以及在漂移部位p槽之一部份增长高压场氧化物;以及在靠近沟道部位并在场氧化物一部份下面之漂移部位植入一漂移部位边缘调整,从而有效消除场氧化物增长步骤在漂移部位边缘所导致之杂质浓度减少。3.根据申请专利范围第2项之方法,其中:形成漂移部位p槽之步骤限制漂移部位p槽之深度至小于约5m。4.根据申请专利范围第2项之方法,其中:形成漂移部位p槽之步骤使用硼作为杂质;以及植入漂移部位p槽边缘调整之步骤使用硼作为杂质。5.根据申请专利范围第2项之方法,其中:形成高压漂移部位p槽之步骤包含植入杂质浓度大于约le15/cm3之硼之漂移部位p槽;增长HVpMOS场氧化物之步骤包含增长场氧化物至厚度大于约0.6m;以及植入高压漂移部位p槽边缘调整之步骤包含植入杂质浓度大于约0.5e13/cm3之硼之高压漂移部位p槽边缘。6.一种高压p沟道金属氧化物半导体(PMOS)元件包含:一高压漂移部位p槽有一边缘及一深度,并有一杂质浓度之硼形成于半导体基片上;一n型沟道部位靠近,漂移部位p槽之边缘;一高压场氧化物有一厚度形成于高压漂移部位之一部份上;一高压闸氧化物形成于沟道部位,并有一边缘覆盖高压场氧化物之一部份;以及一横向滙接点在漂移部位p槽之边缘与沟道部位之间。7.根据申请专利范围第6项之元件,其中:高压漂移部位p槽之杂质浓度大于约le15/cm3之硼;以及漂移部位p槽之厚度小于约5m;以及场氧化物之厚度大于约0.6m。图示简单说明:图1为一积体电路之剖面图,例示一根据本发明所形成之HV PMOS元件;图2A-2J为剖面图,例示一种根据本发明,构成与图1类似之HV PMOS元件之较佳方法;图3A为图1之HV PMOS元件之剖面图,示在场氧化物增长后,HV漂移部位槽中之杂质浓度梯度线;图3B为图1之HV PMOS元件之剖面图,示在植入HV漂移部位槽边缘调整后,HV漂移部位槽中之杂质浓度梯度线;以及图3C为图1之HV PMOS元件之剖面图,示在使HV漂移部位槽边缘调整退火后,HV漂移部位槽中之杂质浓度梯度线。 |
