| 摘要 |
본 발명은, 신뢰성이 높은 반도체 장치를 제공한다. 제1 절연층과, 제1 절연층 위의 제1 산화물 절연층과, 제1 산화물 절연층 위의 산화물 반도체층과, 산화물 반도체층 위의 소스 전극층, 및 드레인 전극층과, 산화물 반도체층, 소스 전극층, 및 드레인 전극층 위의 제2 산화물 절연층과, 제2 산화물 절연층 위의 게이트 절연층과, 게이트 절연층 위의 게이트 전극층과, 제1 절연층, 소스 전극층, 드레인 전극층, 제2 산화물 절연층, 게이트 절연층 및 게이트 전극층 위의 제2 절연층과, 제1 절연층, 소스 전극층, 드레인 전극층, 및 제2 절연층 위의 제3 절연층을 갖고, 제2 절연층은 게이트 절연층의 상면 또는 측면과 접촉하는 영역을 갖는 구성으로 한다. |
