| 主权项 |
1.一种动态随机存取记忆体之埋窗(DRAM Buried Contact)的制造方法,系包含下列步骤:在半导体基板上(Semiconductor Substrate)形成隔离电性活动区(Active Area)所需的氧化层,并形成场效电晶体与字语线(Wordline);沈积一层【第一绝缘层】;利用微影技术与蚀刻技术蚀去所述【第一绝缘层】,以形成场效电晶体之埋窗(Buried Contact),未来,电容器之电荷储存电极(Storage Node)将透过所述【埋窗】跟场效电晶体作电性接触;沈积一层【第二绝缘层】,并利用蚀刻技术对所述【第二绝缘层】进行单向性的回蚀刻,以在所述氧化层和【第一绝缘层】图案的旁侧形成第二绝缘层侧壁子(Spacer);沈积一层【第一复晶矽层】;利用微影技术与蚀刻技术蚀去所述【第一复晶矽层】以形成电容器之【电荷储存电极】;在所述【电荷储存电极】表面形成一层【电容器介电层】(CapacitorDielectric)和一层【第二复晶矽层】,并利用微影与蚀刻技术蚀去所述【电容器介电层】和【第二复晶矽层】,以形成电容器的上层电极(Plate Electrode)。2.如申请专利范围第1项所述的制造方法,其中所述第一绝缘层是由二氧化矽或氮化矽组成,其厚度介于800到1600埃之间。3.如申请专利范围第1项所述的制造方法,其中所述第二绝缘层是二氧化矽或氮化矽组成,其厚度介于800到2500埃之间。4.如申请专利范围第1项所述的制造方法,其中所述第一复晶矽层是以【化学汽相沈积法】形成,其厚度介于3000埃到6000埃之间。5.如申请专利范围第1项所述的制造方法,其中所述电容器介电层是由氧化氮化矽(Oxynitride)、氮化矽和二氧化矽所组成,或由Ta2O5所组成。6.如申请专利范围第1项所述的制造方法,其中所述第二复晶矽层是以化学汽相沈积法形成,其厚度介于1000到3000埃之间。7.如申请专利范围第1项所述的制造方法,其中所述场效电晶体包含有闸氧化层、闸极与源极/汲极。图示简单说明:图一至图九为本发明之实施例之堆叠式动态随机存取记忆体记忆元的制造剖面示意图(Cross Section):图一为本发明之实施例之堆叠式动态随机存取记忆体记忆元于形成闸、源/汲极和字语线后的剖面图;图二为本发明之实施例之堆叠式动态随机存取记忆体记忆元于形成第一绝缘层后的剖面图;图三为本发明之实施例之堆叠式动态随机存取记忆体记忆元于蚀刻第一绝缘层形成埋窗后的剖面图;图四为本发明之实施例之堆叠式动态随机存取记忆体记忆元于形成第二绝缘层后的剖面图;图五为本发明之实施例之堆叠式动态随机存取记忆体记忆元于非均向性蚀刻第二绝缘层形成第二绝缘层侧壁子后的剖面图;图六为本发明之实施例之堆叠式动态随机存取记忆体记忆元于形成搀杂的第一复晶矽层后的剖面图;图七为本发明之实施例之堆叠式动态随机存取记忆体记忆元于非均向性蚀刻搀杂的第一复晶矽层形成电容器之电荷储存电极后的剖面图;图八为本发明之实施例之堆叠式动态随机存取记忆体记忆元于形成电容器介电层和上层电极后的完成剖面图;图九为与图八切面方向垂直的完成剖面图。 |
