| 主权项 |
1.一种永久性半导体存储器,可将多値资讯写入存储晶格中,其特征为包括:存储晶格阵列,由许多具有可控制之临界电压的存储晶格所构成,配置成具有许多列和许多行之矩阵形式;许多字线,分别用于存储晶格阵列之各列中,每一字线共同连接至包含在存储晶格阵列之对应列中之存储晶格电晶体的闸极;许多位元线,分别用于存储晶格阵列之各行中,每一条位元线共同连接至包含在存储晶格阵列之对应行中之存储晶格电晶体的汲极;装置,可同时将多个多値资讯(至少可具有三个値)项写入相对应数目之存储晶格电晶体中,这些电晶体则包含在由一条字线所选取之一列的存储晶格电晶体中。2.如申请专利范围第1项之永久性半导体存储器,其中该装置包括:列解码器,可接收列位址信号以便依据所接收之列位址信号由许多字线中选取一条字线,且在写入时供应一预定位准之写入字线电压至所选取之字线;许多写入电路,可接收多値资讯之各输入资料,以便在输入时产生对应数目之写入位元线电压,这些电压之位准分别对应于各输入资料之値;行选择电路,可接收行位址信号以便依据所接收之列位址信号由许多位元线中选取与写入电路之数目相同之位元线数目,且在写入时同时分别供应相对应数目之由许多写入电路所产生之写入位元线电压至所选取之位元线。3.如申请专利范围第2项之永久性半导体存储器,其中一预定位准之写入字线电压是负电压,由许多写入电路所产生之写入位元线电压是正电压,使得可藉Fowler-Nordheim隧道效应之作用而将多値资讯写入每一所选取之存储晶格电晶体中。4.如申请专利范围第3项之永久性半导体存储器,其中起始状况或内容去除(erased)状况中存储晶格电晶体之临界电压是一预定正位准之第一电压,且每一已写入之存储晶格电晶体的临界电压是介于零电压和该一预定正位准之第一电压之间。图示简单说明:第一图先前技艺之永久性半导体存储器之第一范例的电路图,可藉改变所施加之电压位准来写入多値资讯。第二图当写入字线电压依据输入资料値来改变时,存储晶格电晶体之临界电压变化图。第三图当施加一闸极电压而对一存储晶格电晶体进行程式化,然后施加另一闸极电压而对另一存储晶格电晶体进行程式化时,在各点上之电压变化波形及各存储晶格电晶体之临界电压变化波形。第四图先前技艺之永久性半导体存储器之第二范例的电路图,将所施加之电压位准保持不变时可藉改变电压施加之时间来写入多値资讯。第五图当脉波宽度(程式化时间)改变时,存储晶格电晶体之临界电压变化图。第六图当施加具有某种脉波宽度之脉波信号而对一存储晶格电晶体进行程式化,然后施加具有另一种脉波宽度之脉波信号而对另一存储晶格电晶体进行程式化时,在各点上之电压变化波形及各存储晶格电晶体进行程式化时,在各点上之电压变化波形及各存储晶格电晶体之临界电压变化图。第七图是类似于第六图之波形,但显示第六图所示写入方法的一种变化情况。第八图是本发明之永久性半导体存储器之实施例的电路图。第九图是本发明存储晶格电晶体之临界电压变化图,其目的是显示此种写入操作之处理,以便将多値资讯写入此永久性半导体存储器之存储晶格电晶体中。第十图当多个互相不同之多値资讯项依据本发明写入永久性半导体存储器之多个存储晶格电晶体时,在各点上之电压变化波形和各存储晶格电晶体之临界电压变化波形。 |
