| 主权项 |
1.一种形成金氧半元件中淡掺杂汲极的制造方法,包括下列步骤:提供已掺入一第一型离子的一矽基底,且该矽基底上已定义出一用以隔离的第一绝缘层及一闸极;依序在该矽基底上形成一第二绝缘层,及一第三绝缘层;回蚀刻该第三绝层及该第二绝缘层,以完全去除该闸极上的该第二绝缘,并同时于该闸极的侧壁上形成一L型第一间隙壁,及一第二间隙壁;去除该第二间隙壁,再对该矽基底进行一第二型离子的掺入,以在该L型第一间隙壁下的矽基座表面形成一第一淡掺杂及汲极,以及在其他该矽基底的表面形成一第二淡掺汲极;在该矽基底上方形成一第四绝缘层,并回蚀刻该第四绝缘层,以形成一第三间隙壁;以及利用该第三间隙壁、该第一绝缘层及该闸极为罩幕,对该矽基底进行另一第二型离子的掺入,以在末被第三间隙壁遮蔽的该矽基底表面形成一源/汲极。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该第一型离子为一硼离子。3.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该第一绝缘层为一场氧化层。4.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该第一绝缘层为一浅沟渠隔离。5.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该第二绝缘层为一二氧化矽层。6.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该第二绝缘层的厚度约为100AA-200AA。7.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该第三绝缘层为一氮化矽层。8.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该第三绝缘层的厚度约为1500AA-2000AA。9.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该第二型离子为一砷离子。10.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该第二型离子掺入的能量约为10-200KeV。11.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该回蚀刻系利用非等向性的反应性离子蚀刻法完成。12.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该第二间隙壁系以热磷酸溶液的湿蚀刻法去除。13.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该第一淡掺杂汲极为一浅薄源/汲极延伸区。14.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该第二淡掺杂汲极为一中等的源/汲极延伸区。15.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该第四绝缘层为一二氧化矽层。16.如申请专利范围第15项所述之制造方法,其中,该二氧化矽层的厚度约为1500AA-2500AA。17.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该第四绝缘层为一氮化矽层。18.如申请专利范围第17项所述之制造方法,其中,该二氮化矽层的厚度约为2000AA-2500AA。图一A-一D绘示习知形成金氧半元件中轻微掺汲极的制造方法之剖面流程图;以及图二A-二F绘示本发明之较佳实施例,一种形成金氧半元件中轻微掺杂汲极的制造方法之剖面流程图。 |
