| 主权项 |
1.一种半导体装置,其系备有;半导体基板,与形成于上述半导体基板之一部分之元件分离,与形成于上述半导体基板之上述元件分离所围绕领域之活性领域,与在上述活性领域及跨越上述元件分离所形成之上述活性领域上做为闸电极功能之第1导电性构件,与堆积于上述活性领域,上述元件分离及上述第1导电性构件上之层间绝缘膜,与贯通上述层间绝缘膜而在能够达到上述活性领域上之上述导电性构件上面所形成之接触孔,与由埋设上述接触孔之导电性材料所构成之上述第1导电性构件以电气方式连接之接触构件,与形成于上述接触构件及层间绝缘膜上之上述接触构件以电气方式连接之第2导电性构件;上述第1导电性构件之上述接触构件接触部位之闸长向之尺寸,系没有对准遮掩边界之尺寸。2.一种半导体装置,其系备有;半导体基板,与形成于上述半导体基板之一部分之元件分离,与形成于上述半导体基板之上述元件分离所围绕领域之活性领域,与在上述活性领域及跨越上述元件分离所形成之上述活性领域上做为闸电极功能之第1导电性构件,与堆积于上述活性领域,上述元件分离及上述第1导电性构件上之层间绝缘膜,与贯通上述层间绝缘膜而在能够达到上述活性领域上之上述导电性构件上面所形成之接触孔,与由埋设上述接触孔之导电性材料所构成之上述第1导电性构件以电气方式连接之接触构件,与形成于上述接触构件及层间绝缘膜上之上述接触构件以电气方式连接之第2导电性构件;上述接触孔之闸长向之尺寸,系较上述第1导电性构件之闸长向尺寸为大。3.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,上述接触孔之闸长向之尺寸,系较上述第1导电性构件之闸长向尺寸为大。4.一种半导体装置,其系备有;半导体基板,与形成于上述半导体基板之一部分之元件分离,与形成于上述半导体基板之上述元件分离所围绕领域之活性领域,与在上述活性领域及跨越上述元件分离所形成之上述活性领域上做为闸电极功能之第1导电性构件,与堆积于上述活性领域,上述元件分离及上述第1导电性构件上之层间绝缘膜,与贯通上述层间绝缘膜而具有能够达到上述元件分离上之上述导电性构件上面所形成之上述第1导电性构件之闸长向尺寸更大闸长向尺寸之接触孔,与埋设上述接触孔而对于上述第1导电性构件以电气方式连接之接触构件,与连接形成于上述接触构件及层间绝缘膜上之上述接触构件之第2导电性构件;上述第1导电性构件系互相平行地排列形成复数支,上述第2导电性构件系,对于上述导电性构件在平面视野内分别直交形成复数支。5.一种半导体装置,其系备有;半导体基板,与形成于上述半导体基板之一部分之元件分离,与形成于上述半导体基板之上述元件分离所围绕领域之活性领域,与在上述活性领域及跨越上述元件分离所形成之上述活性领域上做为闸电极功能之第1导电性构件,与堆积于上述活性领域,上述元件分离及上述第1导电性构件上之层间绝缘膜,与贯通上述层间绝缘膜而具有能够达到上述元件分离上之上述导电性构件上面所形成之上述第1导电性构件之闸长向尺寸更大闸长向尺寸之接触孔,与埋设上述接触孔而对于上述第1导电性构件以电气方式连接之接触构件,与连接形成于上述接触构件及层间绝缘膜上之上述接触构件之第2导电性构件;上述各第2导电性构件之长度为约略共通之尺寸。6.如申请专利范围第4项所述之半导体装置,其中,上述各第2导电性构件之长度为约略共通之尺寸。7.如申请专利范围第4项所述之半导体装置,其中,再备有在上述第2导电性构件之上方经由层间绝缘膜所形成之配线功能之第3导电性构件。8.如申请专利范围第4项所述之半导体装置,其中,再备有形成于上述第1导电性构件上方且在上述第2导电性构件下方,将上述半导体元件之活性领域,闸电极等互相连接所用之局部配线。9.一种半导体装置,其系备有;半导体基板,与形成于上述半导体基板一部分之元件分离,与由上述半导体基板之上述元件分离所围绕领域之形成之活性领域,与形成于上述活性领域上之上述半导体元件之闸电极,与在上述活性领域之上述闸电极两侧方导入不纯物所形成之不纯物扩散领域,与由形成于上述闸电极两侧面上之绝缘性材料所成之第1绝缘膜,与邻接于上述第1绝缘膜而覆盖上述不纯物扩散领域似地形成,接触于上述物1绝缘膜之薄膜部与从此薄膜部以阶梯差而变厚之厚膜部所成之拉出电极,与从上述拉出电极之阶梯差侧壁跨越上述第1绝缘膜所形成之第2绝缘膜。10.如申请专利范围第9项所述之半导体装置,其中,备有;上述闸电极,拉出电极,第1绝缘膜及堆积于第2绝缘膜上方之层间绝缘膜,与贯通上述层间绝缘膜至少到达上述闸电极上面之接触孔,与由埋填上述接触孔之导电性材料所构成之上述闸电极以电气方式连接之接触构件,与上述接触构件及形成于上述层间绝缘膜上而以电气方式连接于上述接触构件之配线构件。11.如申请专利范围第10项所述之半导体装置,其中,上述第2绝缘膜系由对于上述层间绝缘膜之蚀刻选择比高之材料所构成。12.如申请专利范围第10项所述之半导体装置,其中,上述第1绝缘膜及层间绝缘膜系由矽氧化膜所构成,上述第2绝缘膜系由矽氮化膜所构成。13.如申请专利范围第10项所述之半导体装置, 肊珩ㄔ耵卤蛚謢 |
