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发明名称
MAGNETIC MEMORY DEVICE
摘要
자기 메모리 소자가 제공된다. 기판 상의 기준 자성층, 기준 자성층 상의 터널 배리어층, 터널 배리어층 상의 수평 자유층, 상기 수평 자유층 상의 상부 전극, 및 상기 터널 배리어층과 상기 상부 전극 사이의 자화 반전 보조층이 제공된다. 자화 반전 보조층의 자화 방향은 기판의 상부 평면에 실질적으로 수직한 방향으로 고정된다.
申请公布号
KR101676824(B1)
申请公布日期
2016.11.18
申请号
KR20100056651
申请日期
2010.06.15
申请人
삼성전자주식회사
发明人
김우진;오세충;이장은;이제형;정준호;임우창
分类号
H01L43/08;B82Y25/00;B82Y40/00;H01F10/12;H01F10/32;H01F41/30;H01L43/10
主分类号
H01L43/08
代理机构
代理人
主权项
地址
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