| 主权项 |
1.一种以含卤素蚀刻气体蚀刻含矽材料之方法,其改良处包含在蚀刻气体中加入含矽气体。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该含矽材料为多矽化物。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该含矽材料为一耐火金属矽化物。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该含矽材料为耐火金属矽化物-多矽化物叠层。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该含矽材料为矽烷(SiH4)。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该含矽气体在过蚀刻步骤中加入。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该蚀刻气体包含氯。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该蚀刻气体为一包含氯及溴化氢之混合物。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该用以加至蚀刻气体之含矽气体的量为高达50体积百分比。图示简单说明:第一A图为习知技艺之矽线说明刮痕之横切面图;第一B图为习知技艺之矽线说明弓形侧壁之横切面图;第一C图为习知技艺之矽线说明线宽损失之横切面图;第二图为说明适于此处使用之反应室的横切面图;第三A及三B图为分别说明未加入及加入额外矽烷至蚀刻气体中之蚀刻多晶化物断面的横切面图;第四A、四B及四C图为分别说明未加入、加入4%体积百分比矽烷、及加入8%体积百分比矽烷至蚀刻气体中之蚀刻多晶化物断面的横切面图。 |
