微光学装置

摘要

一种具有一射束平行化光学系统与一偏转镜面配置之微光学装置。电射二极体棒(6)所发射包括许多长条形个别电射射束(9)之电射光射束(8), 转换成由互相平行且为长条形的个别电射射束(12)所构成的矩形或平行四边形雷射束集(17, 30)。射束平行化光学系统是像圆柱透镜(11)之类, 偏转镜面配置则是如镜面列(14, 15)之类的结构。而射束平行化光学系统和偏转镜面配置是以半导体材料而应用半导体制造工程的方法制造的。图一

主权项

1.一种微光学装置,系将一或更多个雷射二极体棒、或是一些沿直交参考座标系统(5)x方向之个别雷射二极体晶片所发射,并包括许多具长条形截面的个别雷射射束(9)的第一个雷射光射束(8),转换成第二个雷射束集(17,30),其特征在于,射束平行化光学系统(11)将第一个雷射光射束集(8)之具有长条形截面沿参考座标系统(5)z轴发散的个别雷射射束(9)平行化,俾包括有平行化长条形个别雷射射束(12)之雷射束集(31)被一转向镜面配置转换成第二个雷射束集(17,30)。2.如申请专利范围第1项之微光学装置,其中第一个雷射射光束集(8)之个别雷射射束(9)长条形截面的中央纵轴茖在参考座标系统(5)沿y-轴延伸的单一直线上。3.如申请专利范围第1或2项之微光学装置,其中第二个雷射束集(17,30)由数个互相平行而具长条形截面的个别雷射射束(12,29)组成。4.如申请专利范围第1或2项之微光学装置,其中雷射束集(31)由平行化长条形个别雷射射束(12)组成,且/或,第二雷射射束(17,30)分别由数个具相同截面的个别雷射射束(分别是9和12,29)组成。5.如申请专利范围第3项之微光学装置,其中雷射束集(31)由平行化长条形个别雷射射束(12)组成,且/或,第二雷射射束(17,30)分别由数个具相同截面的个别雷射射束(分别是9和12,29)组成。6.如申请专利范围第1或2项之微光学装置,其中射束平行化光学系统包括一个圆柱透镜(11)。7.如申请专利范围第3项之微光学装置,其中射束平行化光学系统包括一个圆柱透镜(11)。8.如申请专利范围第4项之微光学装置,其中射束平行化光学系统包括一个圆柱透镜(11)。9.如申请专利范围第1或2项之微光学装置,其中射束平行化光学系统包括一个绕射性光学系统。10.如申请专利范围第3项之微光学装置,其中射束平行化光学系统包括一个绕射性光学系统。11.如申请专利范围第4项之微光学装置,其中射束平行化光学系统包括一个绕射性光学系统。12.如申请专利范围第6项之微光学装置,其中射束平行化光学系统额外包含了一个绕射性光学系统。13.如申请专利范围第3项之微光学装置,其中偏转镜面配置包括第一个和第二个镜面列(14,15),第一个镜面列(14)之各镜宽和长分别为y+及至少Z/COS 45,其中Y为各雷射射束之宽,为二个别雷射射束间之间隔,而Z则为各雷射射束之高,此第一个镜面列(14)将平行化个别雷射射束(12)偏转离开x-轴,同时以平行化个别雷射射束(12)之截面中央纵轴落在互相平行延伸且有固定间隔的直线上,而沿X-轴成Z+相互补偿,而第二个镜面列(15)之各镜宽和长分别为Z+及至少Y+/COS 45,此第二个镜面列(15)则将相互补偿之平行化个别雷射射束(12)以互相平行的形式成像。14.如申请专利范围第4项之微光学装置,其中偏转镜面配置包括第一个和第二个镜面列(14,15),第一个镜面列(14)之各镜宽和长分别为y+及至少Z/COS 45,其中Y为各雷射射束之宽,为二个别雷射射束间之间隔,而Z则为各雷射射束之高,此第一个镜面列(14)将平行化个别雷射射束(12)偏转离开x-轴,同时以平行化个别雷射射束(12)之截面中央纵轴落在互相平行延伸且有固定间隔的直线上,而沿X-轴成Z+相互补偿,而第二个镜面列(15)之各镜宽和长分别为Z+及至少Y+/COS 45,此第二个镜面列(15)则将相互补偿之平行化个别雷射射束(12)以互相平行的形式成像。15.如申请专利范围第6项之微光学装置,其中偏转镜面配置包括第一个和第二个镜面列(14,15),第一个镜面列(14)之各镜宽和长分别为y+及至少Z/COS 45,其中Y为各雷射射束之宽,为二个别雷射射束间之间隔,而Z则为各雷射射束之高,此第一个镜面列(14)将平行化个别雷射射束(12)偏转离开x-轴,同时以平行化个别雷射射束(12)之截面中央纵轴落在互相平行延伸且有固定间隔的直线上,而沿X-轴成Z+相互补偿,而第二个镜面列(15)之各镜宽和长分别为Z+及至少Y+/COS 45,此第二个镜面列(15)则将相互补偿之平行化个别雷射射束(12)以互相平行的形式成像。16.如申请专利范围第3项之微光学装置,其中偏转镜面配置有一个单独镜面列(24),其各镜之宽与长分别为Z/COS及至少Y/COS 45,其中为镜面与X-Y平面间之角度,此单独镜面列(24)将平行化个别雷射射束(12)偏转离开x-轴、沿z-轴相互补偿并让它们以互相平行的形式成像。17.如申请专利范围第4项之微光学装置,其中偏转镜面配置有一个单独镜面列(24),其各镜之宽与长分别为Z/COS及至少Y/COS 45,其中为镜面与X-Y平面间之角度,此单独镜面列(24)将平行化个别雷射射束(12)偏转离开x-轴、沿z-轴相互补偿并让它们以互相平行的形式成像。18.如申请专利范围第6项之微光学装置,其中偏转镜面配置有一个单独镜面列(24),其各镜之宽与长分别为Z/COS及至少Y/COS 45,其中为镜面与X-Y平面间之角度,此单独镜面列(24)将平行化个别雷射射束(12)偏转离开x-轴、沿z-轴相互补偿并让它们以互相平行的形式成像。19.如申请专利范围第1或2项之微光学装置,其中射束平行化光学系统和偏转镜面配置含有对雷射二极体棒及晶片所分别发射雷射光波长而言是透明的半导体材料,且雷射射束在半导体材料内部被导引。20.如申请专利范围第3项之微光学装置,其中射束平行化光学系统和偏转镜面配置含有对雷射二极体棒及晶片所分别发射雷射光波长而言是透明的半导体材料,且雷射射束在半导体材料内部被导引。21.如申请专利范围第4项之微光学装置,其中射束平行化光学系统和偏转镜面配置含有对雷射二极体棒及晶片所分别发射雷射光波长而言是透明的半导体材料,且雷射射束在半导体材料内部被导引。22.如申请专利范围第6项之微光学装置,其中射束平行化光学系统和偏转镜面配置含有对雷射二极体棒及晶片所分别发射雷射光波长而言是透明的半导体材料,且雷射射束在半导体材料内部被导引。23.如申请专利范围第13项之微光学装置,其中射束平行化光学系统和偏转镜面配置含有对雷射二极体棒及晶片所分别发射雷射光波长而言是透明的半导体材料,且雷射射束在半导体材料内部被导引。24.如申请专利范围第16项之微光学装置,其中射束平行化光学系统和偏转镜面配置含有对雷射二极体棒及晶片所分别发射雷射光波长而言是透明的半导体材料,且雷射射束在半导体材料内部被导引。25.一种制造如申请专利范围第19项之微光学装置之方法,其中其特征在于,射束平行化光学系统和偏转镜面配置藉半导体制造工程中熟知的蚀刻技术来制造。26.一种制造如申请专利范围第21项之微光学装置之方法,其中其特征在于,射束平行化光学系统和偏转镜面配置藉半导体制造工程中熟知的蚀刻技术来制造。27.一种制造如申请专利范围第22项之微光学装置之方法,其中其特征在于,射束平行化光学系统和偏转镜面配置藉半导体制造工程中熟知的蚀刻技术来制造。28.一种制造如申请专利范围第23项之微光学装置之方法,其中其特征在于,射束平行化光学系统和偏转镜面配置藉半导体制造工程中熟知的蚀刻技术来制造。29.一种制造如申请专利范围第24项之微光学装置之方法,其中其特征在于,射束平行化光学系统和偏转镜面配置藉半导体制造工程中熟知的蚀刻技术来制造。图示简单说明:图一系本发明第一微光学装置典型实例之简略透视图示。图二系一雷射二极体棒区段简略图示。图三系本发明第二微光学装置中转向镜面配置之典型实例之简略透视图示。图四系根据典型实例一或二,藉微光学装置作射束集转换之简略图示。图五系本发明第三微光学装置中转向镜面配置之典型实例之简略透视图示。图六系本发明第四微光学装置中转向镜面配置之典型实例之简略透视图示。图七系根据典型实例三或四,藉微光学装置作射束集转换之简略图示。