| 主权项 |
1.一种在半导体晶圆的背面上产生伤害以引发叠层缺陷的方法,此伤害是用松散浮悬于液体中的刚硬材料细粒来处理半导体晶圆的背面而产生的,本项方法包括将半导体晶圆的背面接触到浮悬液刚硬材料细粒,并且将刚硬材料细粒向该背面的切线方向驱引,在此情况之下,这些细粒所作用于半导体晶圆背面上的力仅有基本上是指向切线方向的分力。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该刚硬材料细粒的平均直径为2至150微米,其组成材料为自包括三氧化二铝、二氧化矽、碳化矽、氧化锆,及以上材料的混合物中选择使用。3.如申请专利范围第1或2项之方法,其中该浮悬液的液体是选自一组包括水的各种水溶液。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该浮悬的刚硬材料细粒乃藉助于一具转动的滚筒施加于半导体晶圆的背面上,该滚筒的表面是用弹性材料做成,刚硬材料细粒基本上以切线于半导体晶圆背面的方向被驱引。5.如申请专利范围第4项之方法,其中引发叠层缺陷密度可以作为至少一个参数的函数成系统性地变化,该参数属于一组参数中之一,该组参数包括刚硬材料细粒于浮悬液的浓度、滚筒表面的弹性度,在滚轮运动时滚筒的转动速度、以及在浮悬的刚硬材料细粒作用于半导体晶圆背面上时的处理时间。图示简单说明:图一以示意方式显示滚轮装置的一种可行范例。图二所示为示意图代表图一中所示该器具中沿A-A线段的截面状态。 |
