推拔形复晶矽之薄膜电晶体制造方法

摘要

本发明所揭示的是一种在制造薄膜电晶体积体电路中形成推拔复矽晶刻蚀形状的新的方法。在一半导体基材之表面上沈积一层复矽晶。离子植入复矽晶层中,其中该复矽晶层之上半部份被存在于该层中之离子所破坏。复矽晶层被非等向性的刻蚀。复矽晶层被等向性的刻蚀, 其中该层上方被破坏的部份其刻蚀速度较该层下方未被破坏的部份为快, 而产生一推拔形复矽晶。一层闸极氧化物被沈积在此推拔形复矽晶表面上。如此薄膜电晶体便被形成。一层非结晶状矽被沈积在闸极氧化物层之表面上。非结晶状矽层再度结晶以产生更大之结晶。于再度结晶之非结晶状矽中, 形成通道及源极／吸极区域而完成薄膜电晶体本体之结构。一绝缘层被沈积在该薄膜电晶体本体及矽基材上。接点开口经由绝缘层通至源极／吸极区域, 且该接点开口内填充有导电性材料, 以形成接点而完成薄膜电晶体积体电路之结构。

主权项

1.一种推拔形复晶矽之薄膜电晶体制造方法,包含:在一半导体基材上方沈积一层复矽晶;在前述复矽晶层中植入离子,其中前述复矽晶层之上半部被位于该层中之前述离子所破坏;前述复矽晶层施以非等向性刻蚀;前述复矽晶层中被破坏的部份施以等向性刻蚀,其中前述复矽晶层为推拔状;在前述推拔状复矽晶层上方沈积一层闸极氧化物;在前述闸极氧化物层上形成一薄膜电晶体之本体,其中形成该薄膜电晶体本体之步骤为包括:在前述闸极氧化物层之上方表面沈积一层非结晶状之矽;前述非结晶状矽层再度结晶以产生更大且更一致之结晶大小,以及,在前述再度结晶之非结晶矽层中形成通道及源极/汲极区域,以形成薄膜电晶体本体;及在前述薄膜电晶体之本体及前述矽基材上沈积一绝缘层;接点开口穿过前述绝缘层至前述薄膜电晶体之前述源极/汲极区域;以及在前述接点开口中填入导电性材料以在形成之薄膜电晶体积体电路中形成接点。2.如申请专利范围第1项所述之推拔形复晶矽之薄膜电晶体制造方法,其中之复矽晶层其沈积的厚度在200至550埃之间。3.如申请专利范围第1项所述之推拔形复晶矽之薄膜电晶体制造方法,其中前述植入复矽晶层之离子为砷离子,其剂量为一平方公分大约在1E15至3E15个原子之间,并具有10至30KeV间之能量;其中前述能量可被调整,以使前述离子伸入前述复矽晶层之上半部之深度。4.如申请专利范围第1项所述之推拔形复晶矽之薄膜电晶体制造方法,其中前述植入复矽晶层之离子为硼离子,其剂量为一平方公分大约在1E15至3E15个原子之间,并具有10至30KeV间之能量;其中前述能量可被调整,以使前述离子伸入前述复矽晶层之上半部之深度。5.如申请专利范围第1项所述之推拔形复晶矽之薄膜电晶体制造方法,其中前述复矽晶层非等向性刻蚀系于过渡刻蚀在100至180%之后以一端点侦测所完成。6.如申请专利范围第1项所述之推拔形复晶矽之薄膜电晶体制造方法,其中前述复矽晶层中之等向性刻蚀推拔,其中在前述复矽晶层上半部被破坏的部份系以较该层内下半未被破坏部份更快的速度被刻蚀,其中前述推拔状复矽晶层之角度系在65度至85度之间。7.如申请专利范围第1项所述之推拔形复晶矽之薄膜电晶体制造方法,其中闸极氧化物层系在高温氧化物被一低压化学气相沈积在温度为780至850度之间形成之厚度为200至500埃之间所沈积而组成。8.如申请专利范围第1项所述之推拔形复晶矽之薄膜电晶体制造方法,其中之闸极氧化物层系在四乙氧基矽烷矽晶氧化物被低压化学气相沈积在温度于680至750度之间,形成之厚度在200至500埃之间所沈积而组成。9.如申请专利范围第1项所述之推拔形复晶矽之薄膜电晶体制造方法,其中前述非结晶状矽晶层系利用低压化学气相沈积使用四氢化矽气体在温度于450度至560度之间形成厚度在200至1000埃之间所沈积而成。10.如申请专利范围第1项所述之推拔形复晶矽之薄膜电晶体制造方法,其中前述非结晶状矽晶层系利用低压化学气相沈积使用六氢化二矽气体在温度于450度至560度之间形成厚度在200至1000埃之间所沈积而成。图示简单说明:第一A图系概要的显示习知制程中一复矽晶剖面的形状。第一B图系概要的显示本发明之一推拔状复矽晶剖面的形状。第二至五图系概要以剖面方式显示本发明之较佳实施例。