| 摘要 |
동일한 집적 회로 다이 내에 다양한 범위의 채널 구성 및/또는 재료 시스템을 제공하기 위해 나노와이어 트랜지스터 디바이스의 주문제작을 위한 기법이 개시된다. 하나의 예시적인 실시예에 따라, 희생 핀이 제거되고, 주어진 애플리케이션에 적절한 임의의 조성 및 스트레인의 주문제작 재료 스택으로 대체된다. 하나의 이러한 경우, 각각의 제 1 희생 핀 세트가 리세싱되거나 그렇지 않으면 제거되어 p형 층 스택으로 대체되고, 각각의 제 2 희생 핀 세트가 리세싱되거나 그렇지 않으면 제거되어 n형 층 스택으로 대체된다. p형 층 스택은 n형 층 스택을 위한 프로세스와 완전히 무관할 수 있으며, 그 반대도 또한 성립한다. 다양한 다른 회로 구성 및 디바이스 변형예는 본 명세서에 제공된 기법을 사용하여 가능하게 된다. |
