| 主权项 |
1.一种半导体积体电路用之接触窗的制造方法,适用于其上依序形成有至少一第一层及一第二层的一半导体基板上形成接触窗,而上述半导体积体电路用之接触窗的制造方法包括下列步骤:于上述第二层上形成遮蔽层,并于上述遮蔽层形成有开口;以及以上述遮蔽层为罩幕,并经由上述开口而对上述第二层施行等向性乾蚀刻,然后对上述第一层施行湿蚀刻,进而形成上述接触窗。2.如申请专利范围第1项所述之半导体积体电路用之接触窗的制造方法,其中更包括去除上述遮蔽层,然后于上述接触窗形成接触金属的步骤。3.如申请专利范围第2项所述之半导体积体电路用之接触窗的制造方法,其中上述接触金属为钨。4.如申请专利范围第2项所述之半导体积体电路用之接触窗的制造方法,其中上述遮蔽层为光阻。5.如申请专利范围第1.2.3或4项所述之半导体积体电路用之接触窗的制造方法,其中,上述第一层及第二层为绝缘层。6.如申请专利范围第5项所述之半导体积体电路用之接触窗的制造方法,其中上述第一层为无掺杂的绝缘层,而上述第二层为掺杂的绝缘层。7.如申请专利范围第6项所述之半导体积体电路用之接触窗的制造方法,其中上述第一层为03-TEOS,而上述第二层为BPTEOS。图示简单说明:第一图系显示用以说明习知半导体积体电路用之接触窗的制造方法的剖面图;以及第二图系显示用以说明本发明之半导体积体电路用之接触窗的制造方法的剖面图。 |
