| 主权项 |
1.一种在积体电路之熔丝上形成雷射修护窗之方法,首先提供一基体,该基体系包括半导体基板、电性元件区与复数个熔丝,该电性元件区是制造于半导体基板中,该熔丝是形成在该电性元件区之上,雷射修护窗的制造方法系包括下列步骤:a.在表面形成一二氧化矽层覆盖住该熔丝;b.在该二氧化矽层的表面形成一阻障层;c.在该阻障层的表面形成一硼磷搀杂二氧化矽层,填满表面凹凸不平的部份,达到表面平坦化的目的;d.在表面形成保护层,防止水气侵入该电性元件区;e.使用传统的蚀刻方法,对该保护层进行蚀刻;f.使用电浆蚀刻方法,对该硼磷搀杂二氧化矽层进行蚀刻,形成雷射修护窗,并停止蚀刻于该阻障层之上。2.申请专利范围第1项所述一种在积体电路之熔丝上形成雷射修护窗之方法,于步骤a中,该二氧化矽层的厚度系介于6000到11000埃之间。3.申请专利范围第1项所述一种在积体电路之熔丝上形成雷射修护窗之方法,于步骤b中,该阻障层的化学组成成份是氮化矽与氧化氮化矽其中之一。4.申请专利范围第1项所述一种在积体电路之熔丝上形成雷射修护窗之方法,于步骤b中,该阻障层的厚度系介于1000到2000埃之间(四层金属制程)。5.申请专利范围第1项所述一种在积体电路之熔丝上形成雷射修护窗之方法,于步骤e中,传统的蚀刻方法所使用的蚀刻反应气体为CF4.CHF3和SF6。6.申请专利范围第1项所述一种在积体电路之熔丝上形成雷射修护窗之方法,于步骤e中,其蚀刻制程的工作压力介于800到1000mtorr之间。7.申请专利范围第5项所述一种在积体电路之熔丝上形成雷射修护窗之方法,其中:CF4的流量系介于45到35sccm之间;CHF3的流量系介于10到20sccm之间;SF6的流量系介于10到20sccm之间。8.申请专利范围第1项所述一种在积体电路之熔丝上形成雷射修护窗之方法,于步骤f中,所使用的蚀刻反应气体为C2F6。9.申请专利范围第1项所述一种在积体电路之熔丝上形成雷射修护窗之方法,于步骤f中,其蚀刻制程的工作压力介于4到6mtorr之间。10.申请专利范围第8项所述一种在积体电路之熔丝上形成雷射修护窗之方法,其中C2F6的流量系介于50到30sccm之间。图示简单说明:第一图系显示在对积体电路之熔丝进行开接触窗的制程剖面示意图,显示出使用习知技术,在不同高度的熔丝上方开雷射修护窗,会造成蚀刻深度的不同,影响雷射修护窗的制作。第二图系显示利用对积体电路之熔丝进行雷射修护窗制作的制程剖面示意图,在熔丝的上方形成一阻隔层,作为蚀刻制程的停止层,有效地控制蚀刻的深度,可以在熔丝上方形成一良好的雷射修护窗。 |
