| 主权项 |
1.一种包括具有电子发射材料层之阴极之电子管,该电子发射材料层形成在阴极基础金属之表面上,该电子发射材料层包含:第一层,由至少含有钡(Ba)之硷土金属氧化物制成,且形成在该阴极基础金属之表面上;第二层,由含有稀土金属氧化物之硷土金属氧化物制成,且形成在该第一层之表面上;和第三层,由硷土金属氧化物制成,且形成在第二层之表面上。2.如申请专利范围第1项之包括具有电子发射材料层之阴极之电子管,其中包含在第二层中之稀土金属氧化物为钡(Ba)和钪(Sc)之复合氧化物。3.如申请专利范围第1项之包括具有电子发射材料层之阴极之电子管,其中包含在第二层中之稀土金属氧化物为钡(Ba)和钇(Y)之复合氧化物或钡(Ba)和铈(Ce)之复合氧化物之一。4.如申请专利范围第1项之包括具有电子发射材料层之阴极之电子管,其中该第二层含有之稀土金属氧化物在0.01至15wt%之范围内。5.如申请专利范围第2项之包括具有电子发射材料层之阴极之电子管,其中该第二层含有之稀土金属氧化物在0.01至15wt%之范围内。6.如申请专利范围第3项之包括具有电子发射材料层之阴极之电子管,其中该第二层含有之稀土金属氧化物在0.01至15wt%之范围内。7.如申请专利范围第1项之包括具有电子发射材料层之阴极之电子管,其中第一层之厚度范围为5至25m,第二层为30至70m,和第三层为5至20m;且该第二层含有之钡(Ba)和钪(Sc)之复合氧化物之量由0.05至3wt%之范围。图示简单说明:第一图为依照本发明之一实施例之包括具有电子发射材料层之阴极之电子管之示意构造之截面图;第二图为使用于如第一图所示之电子管之电子枪之具有电子发射材料层之阴极之构造之一例之截面图;和第三图为使用于习知电子管之电子枪之具有电子发射材料层之阴极之构造之一例之截面图。 |
