| 主权项 |
1.一种用以封装一电子装置之方法,包含下列步骤:提供一具有第一表面和一相对的第二表面之基板;在该基板的第一表面上形成一单一的电导性电路层;在该基板中提供一开口;将一热导性组件固接于基板的第二表面上;将该电子装置固接于该热导性组件上,使该电子装置得设置在基板内的开口内部;和使该电子装置电耦合于该绕线黏固垫上。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中该形成步骤包括利用一真空金属化制程将一导电性材料沉积于基板的第一表面上之步骤。3.根据申请专利范围第2项之方法,其中该形成步骤包括利用一电镀制程沉积额外的电导性材料,以增加以真空金属化制程沉积而得的电导性材料之厚度。4.根据申请专利范围第2或3项之方法,其中该形成步骤包括移除该电导性材料区域的步骤,以形成图样线、焊接球垫和绕线固接垫。5.根据申请专利范围第2项之方法,其中该形成步骤包括将一第一铬溅镀沉积于第一表面上,将一铜溅镀沉积于该第一铬沉积层上以及将一第二铬溅镀沉积于该铜沉积层上,以在该第一表面上形成一单一的一体式铬/铜/铬层之步骤。6.根据申请专利范围第1项之方法,其中提供一基板的步骤包括提供一以有机材料制成的基板之步骤。7.根据申请专利范围第1项之方法,其中提供一基板的步骤包括提供一以聚乙醯材料制成的基板之步骤。8.根据申请专利范围第1项之方法,其中该提供一开口的步骤包括以穿孔(punching)方式提供该开口的步骤。9.根据申请专利范围第1项之方法,其中该固接一热导性材料的步骤包括利用一黏剂将该热导性材料固接于基板的第二表面之步骤。10.根据申请专利范围第1项之方法,其中该固接电子装置的步骤包括利用一黏剂将电子装置固接于该热导性组件上之步骤。11.根据申请专利范围第1项之方法,其中该电耦合步骤包括利用绕线黏固方式使电子装置电耦合于电路层之步骤。12.根据申请专利范围第1项之方法,尚包括在每一焊接球垫上形成一焊接球之步骤。13.根据申请专利范围第1项之方法,尚包括以一电子绝缘材料封囊该电子装置之步骤。14.根据申请专利范围第1项之方法,其中形成一单层的步骤包括形成一宽度小于1密耳的电导性图样线之步骤。15.根据申请专利范围第14项之方法,其中该提供一基板的步骤包括提供一大小范围在15mm至50mm乘以15mm至50mm的基板之步骤。16.根据申请专利范围第15项之方法,其中形成一单层的步骤包括形成多于100条图样线的步骤。17.根据申请专利范围第1项之方法,其中形成一单层的步骤包括形成一厚度小于0.5密耳的单层之步骤。18.一种电子装置封装,包含:一具有第一表面和一相对的第二表面之基板;真空金属化于该第一表面上的一单一电导性电路层;其中该基板包括一开口;一固接于该第二表面的热导性组件;一固接于该热导性组件上之电子装置,使得该电子装置系设置于基板的开口内部;和其中该电子装置系电耦合于该绕线黏固垫上。19.根据申请专利范围第18项之电子装置封装,其中该基板系由一有机材料制成。20.根据申请专利范围第18项之电子装置封装,其中该基板系由一聚乙醯制成。21.根据申请专利范围第18项之电子装置封装,其中该电导性电路单层包含一沉积于该第一表面上的铬层、一沉积在该第一铬沉积层上的铜沉积层,和一沉积于该铜沉积层上的第二铬沉积层,以在该第一表面上形成一单一的一体式铬/铜/铬层。22.根据申请专利范围第18项之电子装置封装,其中该电导性电路单层之厚度小于0.5密耳。23.根据申请专利范围第18项之电子装置封装,其中该电导性电路单层包括其宽度小于1密耳的导电性图样线。24.根据申请专利范围第23项之电子装置封装,其中该基板的大小范围由15mm至50mm乘以15mm至50mm之间。25.根据申请专利范围第24项之电子装置封装,其中该电路包括多于100的图样线。26.根据申请专利范围第18项之电子装置封装,其中该基板的厚度为15密耳。27.根据申请专利范围第18项之电子装置封装,尚包括一热性黏剂,用以使该热导性组件固接于该第二表面上,和用以使该电子装置固接于该热导性组件上。28.根据申请专利范围第18项之电子装置封装,其中该电路单层包括电耦合在一起的图样线、绕线黏固垫和焊接球黏固。29.根据申请专利范围第18项之电子装置封装,其中该电子装置包括多于100的输入/输出接点。30.根据申请专利范围第29项之电子装置封装,其中该接点系绕线黏固于该绕线黏固垫上。31.根据申请专利范围第28项之电子装置封装,尚包括与每一焊接球垫电耦合的焊接球。32.根据申请专利范围第18项之电子装置封装,尚包括一覆盖该电子装置和该开口以及该基板的第一表面一部分的封囊。33.根据申请专利范围第18项之电子装置封装,其中该热导性组件包含铜。图示简单说明:第一图所示系根据本发明的BGA封装之部份剖面图,第二图所示系第一图的BGA封装置之截面图,第三图-十图所示系为根据本发明之封装电子装置之方法的步骤图。 |
