正性光致抗蚀性组合物之热处理方法

摘要

本发明描述一种可提供显着优点之用于重氮磺酸酯-酚醛清漆正性抗光蚀剂之快速温和烘烤法。该方法使用之温度高于此防蚀涂层之用温和烘烤(SB)温度(≧130℃)且烘烤时间极短(≦30秒)，较佳为涂覆于抗反射底涂层上。其明显地改善该抗光蚀剂之解析度，处理宽容度，热变形温度，防蚀涂层的黏着性，及耐电浆蚀刻性。假如使用反射性低之基质或抗反射涂层，亦可消除照相平版印刷法期间后曝光烘烤(PEB)之需求，且不会造成严重的驻波影响。

主权项

1.一种在基质上制备浮凸影像之方法,其包括在基质上涂覆防蚀涂层,烘烤该防蚀涂层,及用光化光使该防蚀涂层曝光,并处理经涂覆基质,以于该基质上显影显像,该烘烤步骤系将基质接触或逼近温度不低于130℃之加热表面,进行时间不超过30秒。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中加热表面之温度介于130至160℃间。3.根据申请专利范围第1项之方法,其中加热表面之温度介于140至150℃间。4.根据申请专利范围第1项之方法,其中烘烤时间少于21秒。5.根据申请专利范围第1项之方法,其中烘烤时间介于10与20秒间。6.根据申请专利范围第1项之方法,其中该防蚀涂层系重氮/酚醛清漆防蚀涂层。7.根据申请专利范围第6项之方法,该重氮增敏剂具有为芳族化合物但非二苯甲酮衍生物之主链。8.根据申请专利范围第7项之方法,其中该芳族化合物任一苯环上具有不超过一个的羟基。9.根据申请专利范围第6项之方法,其中该防蚀涂层含有酚醛清漆树脂,而且该酚醛清漆树脂已经进行处理,其中低分子量组份已经部分或完全去除。10.根据申请专利范围第9项之方法,其中该防蚀涂层含有可增加光敏性之单体化合物或低分子量化合物。11.根据申请专利范围第1项之方法,其中该基质具有低反射度,该低反射度最好导因于基质上之抗反射涂层。12.根据申请专利范围第11项之方法,该抗反射涂层系无机吸收物质或透明物质,此处该透明物质较佳为氧化矽,而该吸收物质较佳为氮化矽或氮化钛。13.根据申请专利范围第11项之方法,此处该抗反射涂层系一有机物质,其在防蚀涂层显影法或乾蚀刻法中以影像方式去除。14.根据申请专利范围第13项之方法,其中该抗反射层系经染色物质,其吸收率大于2微米-1,最佳为吸收率大于8微米-1。