| 主权项 |
1.一种表面波装置,其包含:一晶体基质;被置放于该晶体基质上之一压电膜;及被放置以接触该压电膜之复数个类似梳状物电极,其中该晶体基质包含其具有一截角及其提供一负温度系数群组延迟时间値之一传播方向的一晶体基质。2.根据申请专利范围第1项之一种表面波装置,其中该复数个类似梳状物电极被放置于压电膜上。3.根据申请专利范围第2项之一种表面波装置,其更包含被放置于该晶体基质及该压电膜间之一短路电极。4.根据申请专利范围第1项之一种表面波装置,其中该压电膜之一规格化厚度H/系大约0.03或更大,此处该压电膜之一厚度系为H及一表面波之一波长系为。5.根据申请专利范围第1项之一种表面波装置,其中该压电膜包含一个选自含有ZnO、AIN、Ta2O5及CdS之群组的一复合物。6.根据申请专利范围第1项之一种表面波装置,其中该晶体基质包含一ST截止X方向传播之晶体基质。7.根据申请专利范围第1项之一种表面波装置,其中该晶体基质包含一Y方向旋转及X方向传播之晶体基质。8.根据申请专利范围第1项之一种表面波装置,其中该Y方向旋转及X方向传播之晶体基质以大约165被旋转。图示简单说明:第一A及一B图系一传统SAW装置结构的截面视图,其中一玻璃基质、一压电薄膜及IDTs被相互堆叠于其上;第二A及二B图系一传统SAW装置结构的截面视图,其中一玻璃基质、一短路电极、一压电薄膜及IDTs被相互堆叠于其上;第三图系标示介于被使用在第一及二图中所显示之该SAW装置中的该机电耦合系数及一压电薄膜之该规格化厚度间的关系之一图式;第四A图系说明介于一ZnO膜之该规格化厚度及由一传统SAW装置结构中所获得之该机电耦合系数之间的一关系,其中一压电薄膜被形成一LiNbO3基质上及IDTs被置放于该膜上;第四B图系说明介于一ZnO膜之该规格化厚度及由一传统SAW装置结构所中获得之该机电耦合系数之间的一关系,其中一压电薄膜被形成于一LiNbO3基质上及IDTs被置放于该膜及该基质之间;第五A图系说明介于一ZnO膜之该规格化厚度,及由其具有一形成于一LiNbO3基质上之一ZnO薄膜的SAW装置结构中所获得之该机电耦合系数之间的一关系,其中IDTs被形成于该膜上及一短路电极被插入于该膜及该基质之间;第五B图系说明介于一ZnO膜之该规格化厚度,及由其具有一形成于一LiNbO3基质上之一ZnO薄膜的SAW装置结构中所获得之该机电耦合系数之间的一关系,其中IDTs被形成于该膜及该基质之间及一短路电极被插放于该膜上;第六图系表示介于该机电耦合系数,及其使用于三种型式之SAW装置中的一ZnO薄膜之该规格化厚度间的关系之一图式,每一SAW装置具有分别地被形成于一ST截止(ST-cut)之晶体基质上的一压电薄膜及类似梳状物电极;第七图系指示介于该机电耦合系数,及其使用于三种型式之SAW装置中的一ZnO薄膜之该规格化厚度间的关系之一图式,每一SAW装置具有分别地被形成于其以Y方向旋转大约165及以X方向传播之一晶体基质上的一压电薄膜及类似梳状物电极;第八图系说明介于该机电耦合系数,及其使用于三种型式之SAW装置中的一ZnO薄膜之该规格化厚度间的关系之一图式,每一SAW装置具有分别地被形成于其以Y方向旋转大约115之一晶体基质上的一压电薄膜及类似梳状物电极;第九A图系本创作之一SAW装置的一较佳具体化之一平面视图;第九B图系第九A图中类似梳状物电极被形成之该部分SAW装置的部分切断之一截面视图;第十图系说明一Y方向旋转之晶体基质的该Eulerian角对该TCD之及该传播损失间之关系;第十一图系说明介于一ST截止晶体基质之传播方向及该TCD间之关系;第十二图系说明介于一X截止晶体基质之传播方向及该TCD间之关系;第十三图系说明介于一Y截止晶体基质之传播方向及该TCD间之关系;第十四图系说明介于一Z截止晶体基质之传播方向及该TCD间之关系;第十五图系说明当被以Y方向旋转大约165及以X方向传播之一晶体基质与自X方向倾斜大约35传播之一晶体基质被使用时,介于该ZnO膜之规格化厚度及该TCD间之关系;第十六A图系根据本创作之其他较佳具体化说明介于该机电耦合系数及一Y方向旋转之晶体基质的该Eulerian角间之关系;及第十六B图系说明对TCD之该Eulerian角及该传播损失间之关系。 |
