多晶矽热炉管层温降温之清洗方法

摘要

本发明提供一种多晶矽热炉管层温降温之清洗方法，适用于清洗一多晶矽热炉管之内管，以去除热炉管内表面之沉积物。该清洗方法系将待降温清洗的热炉管，改以层温降温法，在热炉管之不同位置，分别施以不同温度，温度控制以远离热炉管开口之顶端处最高，依次递减；待控温完成后，将内管取出清洗，而外管维持层温，并不清洗，待内管清洗完毕后装回并继续使用，该内管约可使用四次，经四次清洗后再与外管一起报废，以避免外管因石英壁的剥落而提早报废。

主权项

1.一种多晶矽热炉管层温降温之清洗方法,适用于清洗一多晶矽热炉管,以去除该热炉管内表面之沉积物,其中该多晶矽热炉管包括:一多晶矽热炉管外管,其中该多晶矽热炉管外管具有一开口,及一顶端;一多晶矽热炉管内管,其中该多晶矽热炉管内管配置于该多晶矽热炉管外管内部;以及一加热器,其中该加热器配置于该多晶矽热炉管外管外部,用以控制该热炉管之温度;该清洗方法至少包括下列步骤:将该多晶矽热炉管之该顶端温度控制在一第一温度;调整该加热器,使该多晶矽热炉管外管内部之温度自该顶端往该开口递减,并使该多晶矽热炉管外管之该开口温度维持在一第二温度;以及拆下该多晶矽热炉管内管进行清洗。2.如申请专利范围第1项所述之清洗方法,其中该第一温度包括该多晶矽热炉管运转时之一操作温度。3.如申请专利范围第2项所述之清洗方法,其中该操作温度包括400℃。4.如申请专利范围第1项所述之清洗方法,其中该第二温度包括该多晶矽热炉管内管可被工作人员所拆卸之温度。5.如申请专利范围第4项所述之清洗方法,其中该第二温度包括150℃。6.如申请专利范围第1项所述之清洗方法,其中该多晶矽热炉管外管内部温度,自该顶端往该开口之温度递减方式,包括以温度变化分为一第一层温、一第二层温、一第三层温与一第四层温。7.如申请专利范围第6项所述之清洗方法,其中该第一层温为400℃、该第二层温为350℃、该第三层温为250℃,且该第四层温为150℃。图示简单说明:第一图系显示利用一般降温法将多晶矽热炉管降至室温,产生沉积物与石英壁剥落现象的剖面图。第二图系显示根据本发明较佳实施例之层温降温法,控制降温温度之多晶矽热炉管剖面图。