| 摘要 |
<p>Verfahren zur Herstellung einer integrierten Halbleiterspeicheranordnung, insbesondere zur Verwendung ferroelektrischer Materialien als Speicherdielektrika, wobei eine leitende Verbindung zwischen einer Elektrode eines Speicherkondensators und einem Auswahltransistor erst nach Abscheidung des Speicherdielektrikums hergestellt wird; sowie nach dem Herstellverfahren hergestellte Halbleiterspeicheranordnung.</p> |
