| 主权项 |
1.一种真空断续器接点材料,其包括:一导电成分其至少包含Cu;及一防电弧成分其包含从包括了W,Zr,Hf,V及Ti的碳化物之组群中选取的至少一者;在该接点材料中之该导电成分的量为40-50体积百分比(vo1%);在该接点材料中之该电弧成分的量为50-60体积百分比(vo1%);该防电弧成分的晶粒大小为3m或更小;及一熔融于导电成分中的烧结加速元素的总数量是该导电成分的量的0.1%或更少,该烧结加速元素包含了从包括Co,Fe及Ni的组群中选取之至少一者。2.如申请专利范围第1项所述之真空断续器接点材料,其中:该导电成分包括一高蒸气压成分其包含Ag及Te中至少一者。3.如申请专利范围第2项所述之真空断续器接点材料,其中:该导电成分包括Ag作为该高蒸气成分;及Ag的量为该导电成分的量的30重量百分比(wt%)或更低。4.如申请专利范围第2项所述之真空断续器接点材料,其中:该导电成分包括Te作为该高蒸气压成分;及Te的量为该导电成分的量的12重量百分比(wt%)或更低。5.如申请专利范围第1或2项所述之真空断续器接点材料,其进一步包括:一Cr的辅助成分;其中该防电弧成分为Tic,及其中Cr的量为该接点材料的0.5-7v1%。6.一种用来制造一真空断续器接点材料的方法,其包括的步骤有:将一第一粉粒大小的防电弧成分的粉末与一第二粉粒大小的防电弧成分的粉末混合以获得一混合粉末,将会合的粉末粒化以获得一比第一粉粒及第二粉粒大之第三粉粒大小之粒化的粉末;将该粒化的粉末加以成型及烧结以获得一具有40-50体积百分比的孔隙之间隙的防电弧成分骨架;及将该导电成分渗透进入该防电弧成分骨架的间隙中以获得该接点材料。7.如申请专利范围第6项所述之制造一真空断续器接点材料的方法,其中:在该粒化的步骤中,一随后的成形及打碎的步骤被重覆地实施至少两次;一将在第一次中之混合的粉末及在一第二次中之打碎的粉末之之一者及稍后在6吨/公分或更大的成形压力下成形为一压缩物及将该压缩物打碎成为该打碎的粉末之步骤;藉此该最终被打碎之打碎的粉末被获得作为该第三粒子大小之粒化的粉末。8.如申请专利范围第6或7项所述之制造一真空断续器接点材料的方法,其中:该混合的步骤包括了将作为防电弧成分之第一粒子大小的Zic粉末,第二粒子大小的导电成分粉末及第三粒子大小的Cr辅助成分粉末混合以获得该混合的粉末;及该辅助成分Cr的量是在该混合的材料的量的1-12wt%范围之内。图示简单说明:第一图为一依据本发明的一实施例之真空断续器的接点材料被应用于其上之一真空断续器的一例子的剖面图;及第二图为示于第一图中之真空断续器的电极部分的一剖面图。 |
