| 主权项 |
1.一种光射二极体,包含基材(1)光射发生层(4),埋设在重异质结构 (3,4,5) 的被覆层(3,5)间,并位于基材上;电流扩散层(6),位于顶被覆层(5)上,在电流扩散层上有接触层结构(7,9),其中电流扩散层(6)薄到足以不易吸收任何光射,得以利用MOCVD法经济生产,又其中接触层结构(7,9)的特点为分支的指杆式电极(7),充分分支到得以利用习知 LED技术生产而连同电流扩散层 (6),以充分措施在光射发生层(4)表面积分布电流者。2.如申请专利范围第1项之光射二极体,其中 重异质结构(3,4,5)系由InGaAlP构成者。3.如申请专利范围第2项之光射二极体,其中电流扩散层(6)系由GaAs构成者。4.如申请专利范围第1项之光射二极体,其中电流扩散层(6)系由Ga1-xAlxAs构成,而x≦0.6者。5.如申请专利范围第1项之光射二极体,其中电流扩散层(6)厚度在50至500nm 范围者。6.如申请专利范围第1项之光射二极体,其中电流扩散层(6)厚度大约100nm 者。7.如申请专利范围第1项之光射二极体,其中电流扩散层(6)持点为掺合范围在 11018 cm-3 至210 10 cm-3者。8.如申请专利范围第7项之光射二极体,其中电流扩散层(6)持点为掺合大约 110 19 cm-3 者。9.如申请专利范围第1项之光射二极体,其中电流扩散层(6)持点为电阻等于或低于250者。10.如申请专利范围第1项之光射二极体,其中接触层结构(7,9)特点为朝外分支的指杆式电极(7),以及结合用中央表面积(9)者。11.如申请专利范围第10项之光射二极体,其中接触层结构分支的指杆式电极(7),系由金的合金构成者。12.如申请专利范围第11项之光射二极体,其中金的合金系选自包含AuZn、AuBe、AuGe和AuGeNi者。13.如申请专利范围第11项之光射二极体,其中接触层结构分支的指杆式电极(7)特点为厚度在0.1至1m 范围者。14.如申请专利范围第13项之光射二极体,其中接触层结构分支的指杆式电极(7)厚度在0.5m 者。15.如申请专利范围第10项之光射二极体,其中接触层结构分支的指杆式电极(7)宽度在4至12m 范围者。16.如申请专利范围第15项之光射二极体,其中接触层结构分支的指杆式电极(7)宽度8m 者。17.如申请专利范围第10项之光射二极体,其中接触层结构分支的指杆式电极(7)所覆盖电流扩散层(6)的覆盖程度,在5和25% 间者。18.如申请专利范围第17项之光射二极体,其中接触层结构分支的指杆式电极(7)所覆盖电流扩散层(6)的覆盖程度为20% 者。19.如申请专利范围第10项之光射二极体,其中结合用中央表面积(9)与电流扩散层(6)绝缘者。20.如申请专利范围第19项之光射二极体,其中绝缘层(8)插入电流扩散层(6)与结合用中央表面积之间者。21.如申请专利范围第20项之光射二极体,其中绝缘层(8)由SiO2 构成者。22.如申请专利范围第19项之光射二极体,其中结合用中央表面积(9)是利用逆向偏压 Schottky 阻层,与电流扩散层(6)绝缘者。23.如申请专利范围第22项之光射二极体,其中结合用中央表面积(9)系由 NiAu 制 重层构成者。24.如申请专利范围第23项之光射二极体,其中结合用中央表面积(9)厚度在1至2.5m范围者。25.如申请专利范围第24项之光射二极体,其中 重层的第一分层由Ni构成,厚度大约 5nm,而第二分层由Au构成,厚度大约1m 者。26.如申请专利范围第22项之光射二极体,其中结合用中央表面积(9)系由 TiWN-Au 制 重层构成者。27.如申请专利范围第26项之光射二极体,其中结合用中央表面积(9)厚度在2至4.5m范围者。28.如申请专利范围第27项之光射二极体,其中 重层的第一分层由TiWN 构成,厚度大约0.25m,而第二分层由A1构成,厚度大约3m 者。图示简单说明:第一图表示光射二极体第一具体例俯视图;第二图表示第一图光射二极体沿I-I′断面图;第三图表示光射二极体第二具体例俯视图;第四图表示第三图光射二极体沿Ⅲ-Ⅲ′断面图。 |
