| 主权项 |
1.一种磁阻元件,其为在基体的表面上,形成挟着有非磁性体层之强磁性体层经复数次积层所构成之构造体;其特征在于:前述构造体中所含的氧浓度为100wtppm以下。2.如申请专利范围第1项所述之磁阻元件,其中,前述强磁性体层为,Co或Fe 所构成之单层膜,或至少含Co或Fe2个以上之原子所构成之合金膜;且由不同于前述单层膜或前述合金膜者所构成之积层膜;以及在前述单层膜、前述积层膜、或前述合金膜中含有择自Cu、Mo或Nb之中1个原子的非磁性原子之混合膜。3.如申请专利范围第1项所述之磁阻元件,其中,前述非磁性原子为择自由Cu、Mo、或Nb所构成群中之1个原子。4.如申请专利范围第1项所述之磁阻元件,其中,前述非磁性体层为择自由Cu、Ag、Pd、Au、或Pt所构成群中之至少1个原子所构成之单层膜。5.如申请专利范围第1项所述之磁阻元件,其中,前述基体为,非磁性基板,或表面被覆有底层之前述非磁性基板。6.如申请专利范围第1项所述之磁阻元件,其中,在前述构造体之最表面设置有保护层。7.如申请专利范围第1项所述之磁阻元件,其中,前述底层及前述保护层为,择自由Cu、Ta、W、Ti、或Cr所构成群中之1个原子所构成之单层膜,或由不同于前述单层膜者所构成之积层膜。8.如申请专利范围第1项所述之磁阻元件,其中,前述基体的表面形状为,Ra=01.nm以下,且起伏周期为100nm以上。9.如申请专利范围第1项所述之磁阻元件,其中,前述构造体的最表面形状为,Ra=05.nm以下,且起伏周期为30nm以上。10.一种磁阻元件之制造方法,在制造如申请专利范围第1项所述之磁阻元件时,令成膜室内之背压为10-9Torr以下后,使用不纯物浓度10ppb 以下之氩气作为成膜用气体,而藉由溅镀法以成膜出前述非磁性体层、前述强磁性体层、及前述反强磁性体层。11.如申请专利范围第10项所述之磁阻元件之制造方法,其中,在形成前述构造体前,使用不纯物浓度10ppb以下之氩气,藉由高频喷溅法以进行前述基体表面之净化处理,而将基体层表面的厚度除去0.2nm-1nm。图示简单说明:第一图系显示有关实施例1及比较例1之构造体中所含之氧浓度与所得磁阻元件之MR 比的关系。第二图系显示有关实施例2及比较例2之构造体中所含之氧浓度与所得磁阻元件之MR比的关系。第三图系显示实施例3之强磁性体层的种类与所制得磁阻元件的MR比间之关系。第四图系显示实施例4之强磁性体层的种类与所制得磁阻元件的MR比间之关系。第五图系显示有关实施例1之成膜装置与人工格子型的磁阻元件之概略图。第六图系显示有关实施例2之成膜装置与旋转球型的磁阻元件之概略图。第七图系显示有关本发明之由直流四端子法构成之MR比测定系。第八图系显示有关实施例5之反强磁性体层的种类与所制作出磁阻元件的MR比间之关系图。第九图系显示有关实施例7之基体的表面粗度与所制作出磁阻元件的MR比间之关系图。第十图系显示有关实施例7之基体的起伏周基与所制作出磁阻元件的MR比间之关系图。第十一图系显示有关实施例8之构造体的最表面之表面粗度与所制作出磁阻元件的MR比间之关系图。第十二图系显示有关实施例8之构造体的最表面之起伏周期与所制作出磁阻元件的MR比间之关系图。第十三图系显示有关实施例9之基体表面的除去量与所制作出磁阻元件的MR比间之关系图。第十四图系显示在习知技术中,人工格子型的实验结果之一例。第十五图系显示有关实施例10之磁阻元件的MR比及Co、Cu之fcc(111)干涉波値强度,与乾蚀刻时间tDE间之关系图。第十六图系显示有关实施例10之磁阻元件的小角度X射线折射分布,与乾蚀刻时间tDE间之关系图。第十七图系显示有关实施例11之试片的磁化曲线图。第十八图系显示有关实施例11之试片的单方向非等向性常数JK,与乾蚀刻时间tDE间之关系图。第十九图系显示有关实施例11之变化乾蚀刻时间tDE时,dF=10nm之试片的X射线分布之变化图。第二十图系显示有关实施例12之将界面暴露于各种真空度下1小时之单方向非等向性常数JK之变化图。第二一图系显示有关实施例12之将界面暴露于一定真空度(210--8Torr)下之相对于暴露时间之JK的变化图。第二二图系显示有关实施例13之具有各种膜构成之三层膜中以JK作为反强磁性体层之膜厚dAF的函数之图。第二三图系显示有关实施例13之由数个膜构成之三层模中JK之温度相关性图。第二四图系显示有关实施例3之强磁性体层的种类与所制得磁阻元件之MR比的关系。 |
