| 主权项 |
1.一种薄膜电晶体,包含:一基底;被设置于该基底上的一闸极电极;被设置于该闸极电极上的一闸极绝缘薄膜;被设置于该闸极绝缘薄膜上的一运作半导体薄膜;被设置于该运作半导体薄膜上的一通道保护薄膜;被该通道保护薄膜覆盖且被定位于该运作半导体薄膜之任一侧上的半导体触点部份;及被连接至在该通道保护薄膜之任一侧上之该等半导体触点部份的一源极电极和一汲极电极。2.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体,其中,该运作半导体薄膜包含a-Si薄膜,而该等半导体触点部份包含以杂质掺杂该a-Si薄膜制备而成的n+a-Si薄膜。3.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体,其中,该闸极电极系被连接至一闸极滙流排线,而该汲极电极系被连接至一汲极滙流排线。4.一种制造一薄膜电晶体的方法,包含如下之步骤:形成一闸极电极在一基底上;形成一闸极绝缘薄膜在该闸极电极上;形成一用于建构一运作半导体薄膜的层在该闸极绝缘薄膜上;形成具有一第一预定图型的一绝缘薄膜在该要成为该运作半导体薄膜的薄膜上;在使用具有第一图型的该绝缘薄膜作为一光罩时,以杂质掺杂该要成为该运作半导体薄膜的薄膜来形成被该具有该第一图型之绝缘薄膜覆盖且没有被掺杂有杂质的该运作半导体薄膜及来形成没有被该具有该第一图型之绝缘薄膜覆盖且被掺杂有杂质的一半导体薄膜;移去该具有该第一图型的绝缘薄膜及形成用于界定半导体触点部份的另一绝缘薄膜,该另一绝缘薄膜具有一个比该第一图型大之预定的第二图型而且能够覆盖该运作半导体薄膜及该等被掺杂之半导体薄膜的至少一部份;及形成被连接至该等半导体触点部份的一源极电极和一汲极电极。5.如申请专利范围第4项所述之用于制造一薄膜电晶体的方法,其中,该使用该具有该第一图型之绝缘薄膜作为光罩来掺杂该第三层的步骤系藉着离子掺杂至一个由a-Si制成之半导体薄膜俾形成n+a-Si来被完成。6.如申请专利范围第4项所述之用于制造一薄膜电晶体的方法,其中,该具有该第一图型的绝缘薄膜系在使用该闸极电极作为一光罩时藉由后侧暴光法来被定以图型。7.如申请专利范围第6项所述之用于制造一薄膜电晶体的方法,其中,当该具有该第一图型的绝缘薄膜系被形成时,被该通道保护薄膜覆盖之该等半导体触点部份之从该通道保护薄膜之末端开始测量的偏移量系受一侧蚀刻法控制。8.如申请专利范围第7项所述之用于制造一薄膜电晶体的方法,其中,该偏移量是2m或者更小。9.如申请专利范围第4项所述之用于制造一薄膜电晶体的方法,其中,该用于形成一金属薄膜在被置放于该通道保护薄膜外侧之该等被掺杂之半导体薄膜之部份上的步骤系藉由选择地生长该金属薄膜单单在一个不由该通道保护薄膜覆盖的区域中来被完成。10.如申请专利范围第9项所述之用于制造一薄膜电晶体的方法,其中,该选择生长系藉由一种热CVD方法来被完成。11.一种液晶显示装置,包含:薄膜电晶体,每个薄膜电晶体包含一基底、被设置于该基底上的一闸极电极、被设置于该闸极电极上的一闸极绝缘薄膜、被设置于该闸极绝缘薄膜上的一运作半导体薄膜、被设置于该运作半导体薄膜上的一通道保护薄膜、被定位于该运作半导体薄膜之任一侧上且由该通道保护薄膜覆盖的半导体触点部份(42,44)、及被连接至在该通道保护薄膜之任一侧上之该等半导体触点部份的一源极电极和一汲极电极;被连接至该等闸极电极的闸极滙流排线;被连接至该等汲极电极的汲极滙流排线;及被连接至该等源极电极的图像电极。图示简单说明:第一图系本发明之实施例之薄膜电晶体和图像电极的一侧视剖面图;第二图系在第一图中所显示之该薄膜电晶体和该像素电极的一概略平面图;第三图系本发明之实施例之液晶显示装置的一概略横截面图;第四A和四B图系描绘用于制造该第一例子之该薄膜电晶体之方法之第一步骤的横截面和平面图;第五图系描绘第四A和四B图之下一个步骤的一横截面图;第六A和六B图系描绘第五图之下一个步骤的横截面和平面图;第七A和七B图系描绘第六A和六B图之下一个步骤的横截面和平面图;第八图系描绘第七A和七B图之下一个步骤的一横截面图;第九A和九B图系描绘第第八图之下一个步骤的横截面和平面图;第十图系描绘九A和九B图之下一个步骤的一横截面图;第十一图系描绘第十图之下一个步骤的一横截面图;第十二图系描绘第十一图之下一个步骤的一横截面图;第十三图显示该液晶显示装置的主动矩阵;第十四图系描绘用于制造该第二例子之薄膜电晶体之方法之一步骤的一横截面图;第十五图系描绘第十四图之下一个步骤的一横截面图;第十六图系描绘第十五图之下一个步骤的一横截面图;第十七图系描绘第十六图之下一个步骤的一横截面图;第十八图系描绘第十七图之下一个步骤的一横截面图;第十九图系描绘第十八图之下一个步骤的一横截面图;第二十图系描绘用于制造该第三例子之薄膜电晶体之方法之一步骤的一横截面图;第二一图系描绘第二十图之下一个步骤的一横截面图;第二二图系描绘第二一图之下一个步骤的一横截面图;第二三图系描绘第二二图之下一个步骤的一横截面图;第二四图系描绘第二三图之下一个步骤的一横截面图;第二五图系描绘第二四图之下一个步骤的一横截面图;第二六图系描绘用于制造该第四例子之薄膜电晶体之方法之一步骤的一横截面图;第二七图系描绘第二六图之下一个步骤的一横截面图;第二八图系描绘第二七图之下一个步骤的一横截面图;第二九图系描绘第二八图之下一个步骤的一横截面图;第三十图系描绘第二九图之下一个步骤的一横截面图;第三一图系描绘第三十图之下一个步骤的一横截面图;及第三二图系描绘第三一图之下一个步骤的一横截面图。 |
