| 主权项 |
1.一种动态随机存取记忆体之梳型电容器之下电极之制造方法,至少包括下列步骤:a.提供一基底,该基底上已形成有一电晶体以及一绝缘层覆盖该电晶体,其中该绝缘层有一接触窗口暴露出该电晶体之一源/汲极区;b.形成一复晶矽层覆盖该绝缘层,以及覆盖该接触窗口中之该源/汲极区;c.形成一半球型矽晶粒层于该复晶矽层上;d.形成一氧化层覆盖该半球型矽晶粒层;e.形成一氮化矽层于该半球型矽晶粒层之隙缝间,暴露出部份之该氧化层;f.形成复数个硬罩幕层于该未被氮化矽层覆盖之该氧化层上;以及g.以该些硬罩幕层为罩幕上除该氮化矽层、该氧化层及其下方之复晶矽层以形成复数个沟渠。2.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体之梳型电容器之下电极之制造方法,其中在步骤b中形成该复晶矽层的方法,系为低压化学气相沈积法。3.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体之梳型电容器之下电极之制造方法,其中在步骤d中形成该氧化层的方法,系为以通入氧气之气化炉形成该氧化层覆盖该半球型矽晶粒层。4.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体之梳型电容器之下电极之制造方法,其中在步骤e中形成该氮化矽层的方法,包括下列步骤:沈积一氮化矽物质覆盖该氧化层;以及去除一部份之该氮化矽物质以形成该氮化矽层。5.如申请专利范围第4项所述之动态随机存取记忆体之梳型电容器之下电极之制造方法,其中沈积该氮化矽物质的方法,系为低压化学气相沈积法。6.如申请专利范围第4项所述之动态随机存取记忆体之梳型电容器之下电极之制造方法,其中去除该部份之该氮化矽物质的方法,系为反应性离子蚀刻法。7.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体之梳型电容器之下电极之制造方法,其中在步骤f中形成该硬罩幕层的方法,系为以湿式氧化法氧化未被该氮化矽层覆盖之该氧化层与该半球型矽晶粒层。8.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体之梳型电容器之下电极之制造方法,其中在步骤g中形成该些沟渠之方法,系为高选择性之反应性离子蚀刻法。图示简单说明:第一图系绘示为一种动态随机存取记忆体记忆胞的电路示意。第二A-二D图系绘示习知制造一种动态随机存取记忆体之堆叠状电容的剖面示意图;以及第三A-三D图系绘示依照本发明之一较佳实施例的一种动态随机存取记忆体之梳型电容器之下电极制造流程剖面图。 |
