一种Ⅱ-Ⅵ族半导体膜的制备技术

摘要

本发明属于涉及ZnSe基Ⅱ－Ⅵ族半导体膜的制备技术。本发明提供了一种Ⅱ－Ⅵ族半导体膜的制备技术,这种技术可获得大面积、表面光亮的Ⅱ－Ⅵ族半导体膜。用30—50%的KOH溶液,也可用同浓度的NaOH溶液作电解液,直流电压6—15V,GaAs电阻率≤100Ω·cm。由于GaAs衬底的电阻率远大于ZnSe基超晶格层的电阻率,因此在电解液中电流集中于GaAs衬底,使之电解,而ZnSe基超晶格层不受影响。

主权项

1、一种II-VI族半导体膜的制备技术，其特征在于用30一50％的KOH溶液，也可用同浓度的NaOH溶液作电解液，直流电压6-15V，GaAs电阻率≤100Ω·cm。