| 发明名称 | 在半导体器件中形成保护膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种形成保护膜的方法,该保护膜可减小金属布线间的寄生电容并改善它的薄弱部分,该方法包括以下步骤:形成衬底的金属布线,在包括金属布线在内的衬度上淀积氧化硅膜,在氧化硅膜上形成SOG膜,硬化SOG膜,然后在SOG膜上形成氮化硅膜。SOG膜由介电常数比氧化硅膜更低的材料形成,并由甲基－硅倍半环氧烷和氢－硅倍半环氧烷之一形成。 | ||
| 申请公布号 | CN1187027A | 申请公布日期 | 1998.07.08 |
| 申请号 | CN97125706.X | 申请日期 | 1997.12.25 |
| 申请人 | 现代电子产业株式会社 | 发明人 | 金善佑;金民载;辛东善;孙容宣;金正泰 |
| 分类号 | H01L21/31 | 主分类号 | H01L21/31 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 袁炳泽 |
| 主权项 | 1.在半导体器件中形成保护膜的方法，包括以下步骤：形成衬底的金属布线；在包括所述金属布线在内的所述衬底上淀积氧化硅膜；在所述氧化硅膜上形成SOG膜，所述SOG膜由介电常数比所述氧化硅膜更低的材料形成；硬化所述SOG膜，然后在所述SOG膜上形成氮化硅膜。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||