| 主权项 |
1.一种「具光检测电路之光电积体电路」,其主要是结合光检测电路于积体电路之光电 积体电路,其光检测电路为半导体元件之光电二极体,其至少包括:第一层金属,用以作为该光检测电路之一电极;检光半导体薄膜,沈积于第一层金属,用以侦测光讯号;第二层金属,用以作为该光检测电路之另一电极,其并与第一层金属相对。2.如申请专利范围第1项所述之「具光检测电路之光电积体电路」,其中,第二层金属 可为指状、多角形、圆形。3.如申请专利范围第1.2项所述之「具光检测电路之光电积体电路」,其中,第二层金 属为一般积体电路制程习用之金属。4.如申请专利范围第3项所述之「具光检测电路之光电积体电路」,其中,第二层金属 为透过性金属。5.如申请专利范围第1项所述之「具光检测电路之光电积体电路」,其中,检光半导体 薄膜为非晶矽(a-si)、或者非晶锗、或者矽化锗、或者碳化矽、或者砷化镓、或者磷化铟等 受光性半导体元件。6.如申请专利范围第1项所述之「具光检测电路之光电积体电路」,其中,该积体电路 是为双极性电晶体制程、或是接面场效由晶体制程、或者金氧半场效电晶体制程所制。7.如申请专利范围第1项所述之「具光检测电路之光电积体电路」,其光检测电路之第 一层金属与第二层金属二个电极,可同一金属制程制成者。8.一种「具光检测电路之光电积体电路」,其初始之步骤与一般IC制程相同,但做到第 一层金属之后,必须接着光检测电路制程,先沈积检半导体薄膜,再经由一般IC制程技术 印刻、蚀刻步骤,之后再沈积第二层金属,便可接回一般IC制程步骤。9.如申请专利范围之第8项所述之「具光检测电路之光电积体电路」,其中,后续制程 覂盖在光检测电路之薄膜必须是高透光度材质,才不致影响光检测电路之动作。10.一种「具光检测电路之光电积体电路」,该光电积体电路是将光检测电路结合于积体 电路,其光检测电路为半导体元件之光电二极体,其结构包括:第一金属,用以作为该光检测电路之一电极;检光半导体薄膜,用以侧测光讯号;第二金属,用以作为该光检测电路之另一电极;承上述,其光检测电路之第一金属与第二金属二个电极,在同一金属平面及同一金属制 程制成者。11.如申请专利范围第10项所述之「具光检测电路之光电积体电路」,其中,金属电极 可为指状、多角形、圆形。12.如申请专利范围第10项、11项所述之「具光检测电路之光电积体电路」,其中,金 属电极为一般积体电路制程习用之金属。13.如申请专利范围第12项所述之「具光检测电路之光电积体电路」,其中,金属电极 为透光性金属。14.如申请专利范围第10项所述之「具光检测电路之光电积体电路」,其中,检光半导 体薄膜为非晶矽(a-si),或者非晶锗、或者矽化锗、或者碳化矽、或者砷化镓、或者磷化铟 等受光性半导体元件。15.如申请专利范围第10项所述之「具光检测电路之光电积体电路」,其中,该积体电 路是为双极性电晶体制程、或是接面场效由晶体制程、或者金氧半场效电晶体制程所制。16.一种「具光检测电路之光电积体电路」,其初始之步骤与一般IC制程相同,但其必 须先预留光检测电路之位置,当进行到金属层前之接触窗制程时,沈积检光半导体,形成检 光半导体薄膜,再经印刻、蚀刻等制程技术后,形成光检测电路之后,再沈积金属层,此金 属层为一般IC用金属。17.如申请专利范围第16项所述之「具光检测电路之光电积体电路」,其中,该金属层 可使用高透光性金属。18.如申请专利范围第10项所述之「具光检测电路之光电积体电路」,其中,在进行到 金属层时,可先沈积检光半导体薄膜,再做接触窗制程。图式简单说明:第1图为习用「silicon-APD」结构图。第2图为习用「pin photodiode」结构图。第3图为习用「metal-semiconductorphotphoto diode」结构图。第4图、第5图为习用Motohiki Yamamoto等人提出之「Si-OEIC」结构图。第6a、6b图为本发明二实施例之光检测电路结构上视图。第7a、7b图为第6a、6b图之光检测电路结构侧面剖视图。第8图为本发明之光检测电路结构实施例制程流程图。第9图为本发明之光检测电路结构另一实施例之上视图。第10图为第9图之光检测电路侧面剖视图。第11a、11b图为第10图实施例之二制程流程图。第12图为本发明之一实施例电路图。第13图为本发明之另一实施例电路图。 |
