合成具有CHA拓扑结构的GeAPO沸石的方法

摘要

本发明涉及一种合成具有CHA拓扑结构的GeAPO沸石的方法，主要解决现有技术中合成具有CHA拓扑结构的GeAPO沸石成本高的问题。本发明通过将锗源、铝源、磷源、模板剂R、氨、水按比例混合，其中GeO₂:Al₂O₃:P₂O₅:R:NH₃:H₂O的摩尔比为(0.001～2.5):1:(0.2～3.0):(0.3～15):(0.3～15):(20～500)，再在水热条件下晶化，结晶产物经过滤、洗涤、烘干即可得到具有CHA拓扑结构的GeAPO沸石，方法简便、易行、模板剂成本低，较好的解决了该问题，可用于具有CHA拓扑结构的GeAPO沸石的工业生产中，同时GeAPO沸石对辛醇脱水制备辛烯具有较好的反应性能，可用于辛醇脱水制备辛烯的工业生产中。

主权项

一种合成具有CHA拓扑结构的GeAPO沸石的方法，其特征是将锗源、铝源、磷源、模板剂R、氨、水按比例混合，再在晶化温度是100～210℃，晶化时间是96～1100小时的条件下晶化，结晶产物经过滤、洗涤、烘干得到具有CHA拓扑结构的GeAPO沸石；上述反应条件下反应物的摩尔配比包括：所述模板剂R是四甲基溴化铵、四乙基溴化铵、四丙基溴化铵、四丁基溴化铵中至少一种。