| 主权项 |
1.一种涂膜形成方法,系在以腔内之自旋夹具所保持之基板的表面形成光阻涂膜的涂膜形成方法,其特征为具备:(a)将表示藉上述自旋夹具所旋转之基板之旋转数与在上述腔内形成在基板上之光阻涂膜之膜厚之相关的预备相关资料予以把握的过程,及(b)将基板搬进上述腔内,并以上述自旋夹具保持基板的过程,及(c)在基板浇上光阻液,而且自旋旋转基板,由此,在基板表面形成光阻涂膜的过程,及(d)藉由膜厚检出机构检出形成于基板表面之光阻涂膜之膜厚的过程,及(e)藉由旋转数检知机构检知上述自旋夹具之旋转数的过程,及(f)依照上述检出膜厚与上述检出旋转数及上述预备相关资料,补正自旋夹具之设定旋转数,反馈控制下一基板之光阻涂布处理的过程。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,在上述过程(a),系又把握表示须涂布在基板的光阻液之温度与在上述腔内形成于基板上的光阻涂膜之膜厚之相关的预备相关资料;在上述过程(e),系又检出刚要涂布于基板前之光阻液的温度,在上述过程(f),系又依照该检出温度及上述检出膜厚与上述预备相关资料补正须涂布于下一基板之光阻液的温度。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,在上述过程(a),系又把握表示基板之表面温度与在上述腔内形成于基板上的光阻涂膜之膜厚之相关的预备相关资料;在上述过程(e),系又检出刚要涂布光阻液前之基板表面的温度,在上述过程(f),系又依照该检出温度及上述检出膜厚与上述预备相关资料补正下一基板之表面温度。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,将光阻涂膜予以烘烤加热,再将此冷却之后,在上述膜厚检出过程(d)测定光阻涂膜之膜厚者。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,在上述过程(d)系在上述腔内检出光阻涂膜之膜厚,并依照其检出资讯依次控制其以后之基板的光阻涂膜之膜厚者。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,在上述过程(d)系一面相对地移动自旋夹具上之基板与膜厚检出机构,一面在复数部位检出光阻涂膜之膜厚者。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,每一次涂布光阻在一批25枚之基板上时,实行上述过程(d)之光阻涂膜的膜厚测定者。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,每一次涂布光阻在各基板上时,实行上述过程(d)之光阻涂膜的膜厚测定者。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,又在上述过程(c)之前控制腔内之环境气氛,并将自旋夹具上之基板周围的环境气氛调整在适合于光阻涂布处理的环境气氛者。10.一种涂膜形成方法,系在以腔内之自旋夹具所保持之基板的表面形成光阻涂膜的涂膜形成方法,其特征为具备:(A)将表示藉上述自旋夹具所旋转的虚拟基板之旋转数与在上述腔内形成在基板上的光阻涂膜之膜厚之相关的预备相关资料予以把握的过程,及(B)将制品基板搬送上述腔内,并以上述自旋夹具保持制品基板的过程,及(C)在制品基板浇上光阻液,而且自旋旋转制品基板,由此,在制品基板之表面形成光阻涂膜的过程;及(D)藉由膜厚检出机构检出形成于制品基板上之光阻涂膜之膜厚的过程,及(E)藉由旋转数检知机构检知上述自旋夹具之旋转数的过程,及(F)依照上述检出膜厚与上述检出旋转数及上述预备相关资料,补正自旋夹具之设定旋转数,反馈控制下一制品基板之光阻涂布处理的过程。11.如申请专利范围第10项所述之方法,其中,在上述过程(A),系又把握表示须涂布在虚拟基板的光阻液之温度与在上述腔内形成于虚拟基板上的光阻涂膜之膜厚之相关的预备相关资料;在上述过程(E),系又检出刚要涂布于制品基板前之光阻液的温度;在上述过程(F),系又依照该检出温度及上述检出膜厚与上述预备相关资料补正须涂布于下一制品基板之光阻液的温度。12.如申请专利范围第10项所述之方法,其中,在上述过程(A),系又把握表示虚拟基板之表面温度与在上述腔内形成于虚拟基板上的光阻涂膜之膜厚之相关的预备相关资料;在上述过程(E),系又检出刚要涂布光阻液前之制品基板表面的温度;在上述过程(F),系又依照该检出温度及上述检出膜厚与上述预备相关资料补正下一制品基板之表面温度。13.如申请专利范围第10项所述之方法,其中,将光阻涂膜予以烘烤加热,再将此冷却之后,在上述膜厚检出过程(D)测定光阻涂膜之膜厚者。14.如申请专利范围第10项所述之方法,其中,检出形成于虚拟基板之光阻涂膜的膜厚之后,从虚拟基板除去光阻涂膜,在上述过程(A)再使用该虚拟基板来把握其他之预备相关资料者。15.如申请专利范围第13项所述之方法,其中,检出形成于虚拟基板之光阻涂膜的膜厚之后,从虚拟基板除去光阻涂膜,在上述过程(A)再使用该虚拟基板来把握其他之预备相关资料者。16.如申请专利范围第10项所述之方法,其中,又在上述过程(C)之前控制腔内之环境气氛,并将自旋夹具上之基板的周围环境气氛调整成适合于光阻涂布处理之环境气氛者。17.如申请专利范围第10项所述之方法,其中,每一次涂布光阻在一批25枚之基板上时,实行上述过程(D)之光阻涂膜的膜厚测定者。18.如申请专利范围第10项所述之方法,其中,每一次涂布光阻在各基板上时,实行上述过程(D)之光阻涂膜的膜厚测定者。19.如申请专利范围第10项所述之方法,其中,在上述过程(D)系一面相对地移动自旋夹具上之基板与膜厚检出机构,一面在复数部位检出光阻涂膜之膜厚者。20.一种涂膜形成装置,其特征为具备:腔,及设于该腔内,保持基板的自旋夹具,及自旋旋转该自旋夹具的旋转驱动机构,及将光阻液供应于上述自旋夹具上之基板的光阻液供应机构,及设于上述腔内,检出形成于基板表面之光阻涂膜之膜厚的膜厚感测器,及依照来自上述膜厚感测器之膜厚检出信号控制上述旋转。21.如申请专利范围第20项所述之装置,其中,又具有检出光阻液之温度的第1温度感测器,及调整须涂布在基板之光阻液之温度的第1温度调整机构;上述控制机构系依照来自第1温度感测器之检出信号反来自膜厚感测器之膜厚检出信号控制上述第1温度调整机构。22.如申请专利范围第20项所述之装置,其中,又具有检出基板之表面温度的第2温度感测器,及调整基板之表面温度的第2温度调整机构;上述控制机构系依照来自第2温度感测器之检出信号及来自膜厚感测器之膜厚检出信号控制上述第2温度调整机构。23.如申请专利范围第20项所述之装置,其中,又具有将使用于把握表示须形成于基板上之光阻涂膜的膜厚之相关的预备相关资料所用的虚拟基板予以调整温度所用的第3温度调整机构。24.如申请专利范围第23项所述之装置,其中,又具有将除去形成在上述虚拟基板之表面之光阻涂膜所用的溶剂浇向虚拟基板的溶剂供应机构。25.如申请专利范围第20项所述之装置,其中,又具有检出上述自旋夹具之旋转数的旋转数检出感测器。图式简单说明:第一图系表示以往装置的概略剖面图。第二图系表示具备本发明的涂膜形成装置之光阻液涂布显像系统之整体概要的概略平面图。第三图系表示本发明之涂膜形成装置的剖面方块图。第四图系表示在每一各基板检出涂膜之膜厚之一连串处理过程的流程图。第五图系表示本发明之涂膜形成方法之控制膜厚之手法的流程图,第六图A系表示为了说明光阻涂膜之参差之容许范围模式地表示光阻膜厚的膜厚概念图。第六图B系表示光阻涂膜之各种轮廓的膜厚分布图。第七图系表示使用本发明之测定用基板测定光阻涂膜之膜厚时之过程的流程图。第八图系表示本发明之其他实施例之涂膜形成装置的剖面方块图。 |
