| 主权项 |
1.一种提供漫射立管于具有多个光学刻面之菲涅耳透镜模上之方法,其中相邻之光学刻面系以立管分隔,此方法包括之步骤如下:a)于多个光学刻面及立管上沈积漫射层;及b)由多个光学刻面处选择性地移去漫射层,其中漫射层仍实质上完整地留置于立管上。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中沈积步骤进一步包括在具有大致上为同心光学刻面之模上沈积漫射层。3.根据申请专利范围第1项之方法,其中沈积步骤进一步包括在具有大致上平行光学刻面之模上沈积漫射层。4.根据申请专利范围第1项之方法,其中沈积漫射层之步骤进一步包括电沈积一层由铜、镍、锌、钴、锡及其组合所组成之族群中选取之金属。5.根据申请专利范围第4项之方法,其中沈积步骤进一步包括在实质上不含晶粒细化剂之镀浴中电沈积漫射层。6.根据申请专利范围第5项之方法,其进一步包括使镀浴通过活性碳之步骤。7.根据申请专利范围第5项之方法,其进一步包括使镀浴加热至约30℃或较高温度之步骤。8.根据申请专利范围第5项之方法,其进一步包括使镀浴加热至约35℃或较高温度之步骤。9.根据申请专利范围第5项之方法,其进一步包括使镀浴加热至约40℃或较高温度之步骤。10.根据申请专利范围第1项之方法,其进一步包括在沈积漫射层之步骤期间内遮蔽所选定之部份立管。11.根据申请专利范围第1项之方法,其进一步包括在沈积步骤实施期间之部份时间内遮蔽所选定之部份立管。12.根据申请专利范围第1项之方法,其中沈积步骤进一步包括使具有约0.022安培/平方公分或较小电流密度之电能通过模。13.根据申请专利范围第1项之方法,其中沈积步骤进一步包括使具有约0.016安培/平方公分或较小电流密度之电能通过模。14.根据申请专利范围第1项之方法,其中沈积步骤进一步包括使具有约0.011安培/平方公分(10安培/平方尺)或较小电流密度之电能通过模。15.根据申请专利范围第1项之方法,其中沈积漫射层之步骤进一步包括铜层之电沈积。16.根据申请专利范围第15项之方法,其中沈积步骤进一步包括在实质上不含晶粒细化剂之镀浴中电沈积铜层。17.一种提供漫射立管于具有多个光学刻面之菲涅耳透镜模上之方法,其中于模上相邻之光学刻面系以立管分隔,此方法包含之步骤如下:a)提供电解质浴;b)使该浴通过活性碳;c)使该浴加热至约30℃或较高之温度;d)于多个光学刻面及立管上电沈积漫射层,其中漫射层系由铜、镍、锌、钴、锡、及其组合所组成之族群中选取,且再者,其中电沈积系经由将模置于该浴之中且使具有约0.016安培/平方公分或较小电流密度之电能通过模以进行之;及e)自多个光学刻面处选择性地移去漫射层,其中漫射层仍实质上完整地留置于立管上。18.一种提供漫射立管于具有多个光学刻面之菲涅耳透镜模上之方法,其中于模上相邻之光学刻面系由立管分隔,此方法包括之步骤如下:a)提供实质上不含晶粒细化剂之电解质浴;b)于多个光学刻面及立管上电沈积漫射层,其中漫射层系由铜、镍、锌、钴、锡、及其组合所组成之族群中选取,且再者,其中电沈积系经由将模置于该浴之中且使具有约0.016安培/平方公分或较小电流密度之电能通过模以进行之;及c)自多个光学刻面处选择性地移去漫射层,其中漫射层仍实质上完整地留置于立管上。19.根据申请专利范围第18项之方法,其进一步包括在电沈积步骤期间内遮蔽所选定之部份立管。20.根据申请专利范围第18项之方法,其进一步包括在沈积步骤实施期间之部份时间内遮蔽所选定之部份立管。图式简单说明:第一图为菲涅耳透镜之横截面示意图,其示出光学刻面及立管。第二图为根据本发明之一方法中之示意图。 |
