| 主权项 |
1.一种改良型球阵式积体电路封装方法,包括:一单面线路电镀之步骤,为在铜片上经覆乾膜与电镀形成朝上突起之线路电镀层;一选择性电镀之步骤,为再行覆盖另一乾膜,而仅在前述突起线路之局部位置再朝上形成电镀凸点;一去除乾膜之步骤,为去除前述各层乾膜,而仅留下铜片、线路电镀层及电镀凸点所形成之材料;一依序对铜片上表面进行压合一绝缘层及一背板之步骤,而在铜片上方形成可供置入晶片之凹陷缺口;一相应于该凹陷缺口位置植入晶片及打线之步骤;一对该凹陷缺口进行填胶填平之步骤;一蚀刻去除前述位在底层之铜片之步骤,而仅留下线路电镀层;及一对底面上绿漆及焊接锡球之步骤者。2.如申请专利范围第1项所述之改良型球阵式积体电路封装方法,其中该形成线路电镀层为镍、铜材料者。3.如申请专利范围第1项所述之改良型球阵式积体电路封装方法,其中该形成之电镀凸点为镍、金材料者。4.如申请专利范围第1或2项所述之改良型球阵式积体电路封装方法,其中该电镀凸点为供晶片打线之用。5.如申请专利范围第1项所述之改良型球阵式积体电路封装方法,其中该植入晶片之部位下方亦为一电镀层者。6.如申请专利范围第1项所述之改良型球阵式积体电路封装方法,其中该绝缘层可为树脂材料者。7.如申请专利范围第1项所述之改良型球阵式积体电路封装方法,其中该背板可为树脂或金属者。8.如申请专利范围第1或7项所述之改良型球阵式积体电封装方法,其中更可在背板下方设置一接地层者。9.一种改良型球阵式积体电路封装结构,包括:一中央形成供承载晶片之金属层,外围形成可供晶片打线之电镀凸点以及形成有各式电镀线路之电镀层;一为在电镀层底面之各接点位置设置有锡球,而在非锡球所在位置覆盖有绿漆;一晶片,为结合于前述电镀层中央之金属层上;一压合形成于该电镀层外围位置之绝缘层;一压合形成于该绝缘层上方且中央形成缺口之背板;一为在背板之缺口位置形成具有保护晶片之保护胶;据以构成一种球阵式积体电路封装者。10.如申请专利范围第9项所述之改良型球阵式积体电路封装结构,其中该线路电镀层为镍、铜材料者。11.如申请专利范围第9项所述之改良型球阵式积体电路封装结构,其中该电镀凸点为镍、金材料者。12.如申请专利范围第9项所述之改良型球阵式积体电路封装结构,其中该绝缘层可为树脂材料者。13.如申请专利范围第9项所述之改良型球阵式积体电路封装结构,其中该背板可为树脂或金属者。14.如申请专利范围第9或13项所述之改良型球阵式积体路封装结构,其中更可在背板下方设置一接地层者。图式简单说明:第一图A-第一图H:系本发明之方法步骤示意图。第二图A-第二图H:系传统封装方法步骤之示意图。 |
