发明名称 半导体记忆装置之内增压器
摘要 本案揭示一种半导体记忆装置之内增压器,包括:一第一侦测器,用以在待机状态(stand-by)侦测增压准位;一振荡器,用以回应该第一侦测器的输出讯号而产生一预定周期的讯号;一主泵(pump),用以回应该振荡器的输出讯号而形成该增压准位,该主泵的运作系受控于该第一侦测器;以及一第二侦测器,回应该半导体记忆装置之主时脉及该增压而控制该第一侦测器以及一主动推动器电路。
申请公布号 TW343389 申请公布日期 1998.10.21
申请号 TW085113871 申请日期 1996.11.13
申请人 三星电子股份有限公司 发明人 尹世昇;褒容彻
分类号 H01L27/10 主分类号 H01L27/10
代理机构 代理人 蔡清福 台北巿忠孝东路一段一七六号九楼
主权项 1.一种半导体记忆装置之内增压器,包括:一第一侦测器,用以在待机状态(stand-by)侦测增压准位;一振荡器,用以回应该第一侦测器的输出讯号而产生一预定周期的讯号;一主泵(pump),用以回应该振荡器的输出讯号而形成该增压准位,该主泵的运作系受控于该第一侦测器;以及一第二侦测器,回应该半导体记忆装置之主时脉及该增压而控制该第一侦测器以及一主动推动器电路。2.一种半导体记忆装置之内增压器,包括:一第一侦测器,用以在待机状态(stand-by)侦测增压准位;一振荡器,用以回应该第一侦测器的输出讯号而产生一预定周期的讯号;一主泵,用以回应该振荡器的输出讯号而形成该增压准位,该主泵的运作系受控于该第一侦测器;一第二侦测器,回应该半导体记忆装置之主时脉及该增压而控制该第一侦测器以及一主动推动器电路;一栓锁讯号产生器,在互补列位址触发讯号的主动期间回应该第二输出讯号的输出而储存代表该增压准位的资料,于互补列位址触发讯号下一周期输出该资料;一主动推动器,用以回应该互补列位址触发讯号而补偿主动周期之该增压所产生的损失;以及一主动增压控制讯号产生器,在该栓锁讯号产生器之输出讯号的控制下提供该主动推动器一输入。图式简单说明:第一图系习知半导体记忆装置内增压器之电路图;第二图系输送给第一图电路使用的操作脉波图;第三图系第一图之主动增压控制电路的细部电路图;第四图系习知用以在主动增压控制讯号的上昇缘实施电压泵的主动推动器图;第五图系习知用以在主动增压控制讯号的上下降缘实施电压泵的主动推动器图;第六图系本发明内增压器之实施例电路图;第七图系输送给第六图电路使用的操作脉波图;第八图系本案增压侦测器之一较佳实施例电路图;第九图系本发明之振荡器电路图;第十图系本发明主泵的电路图;第十一图系本发明产生增压侦测致能控制讯号及增压栓锁控制讯号的之产生器的细部电路图;第十二图系本发明另一实施例之增压侦测器电路图;第十三图系本发明栓锁讯号产生器之电路图;第十四图系本发明PKEF产生器之电路图;第十五图系本发明栓锁延迟讯号产生器之电路图;第十六图系本发明PKES产生器之电路图;以及第十七图系本发明增压产生器之电路图。
地址 韩国