| 主权项 |
1.一种不良分析装置,根据利用测试器(3)所检测到之半导体晶圆(WH)中之不良(20,20a-20d,20p,20q,25)之第1群之有关资料,和利用缺陷检查装置(1,2)所检测到之半导体晶圆中之缺陷(23,23a,23b)之第2群之有关资料,进行上述第1群之座标値和上述第2群之座标値之对照,用来进行不良原因之推定;其特征是具备有:初期设定装置(31),用来设定容许范围(RO)和对照率基准値(SO);对照装置(33),用来从上述之第2群之中检索与上述第1群之每一个不良一致之缺陷,亦即具有座标値离开该不良之座标値在上述之容许范围以内之缺陷;对照率判定装置(34),在上述之第1群中,用来算出具有一致之缺陷之不良所占之比例之对照率(S),和使该对照率和上述之对照率基准値进行比较;变位算出装置(51),在上述之第1群中,对于具有一致之缺陷之不良,用来算出各个不良到一致之缺陷之变位(Di,Dix,Diy);平均値算出装置(37),用来算出作为校正变数(g)之上述变位之平均値(d);校正缺陷位置座标算出装置(39,54),用来从上述第2群之座标値之中减去上述之校正变数,藉以算出校正缺陷位置座标;缺陷位置座标更新装置(40),以上述之校正缺陷位置座标更新上述之第2群之座标値;和控制装置(30),依照上述之对照率判定装置之比较结果,只有当上述之对照率超过上述之对照率基准値时,才利用上述之缺陷位置座标更新装置实行上述第2群之座标値之更新。2.一种不良分析装置,根据利用测试器(3)所检测到之半导体晶圆(WH)中之不良(20,20a-20d,20p,20q,25)之第1群之有关资料,和利用缺陷检查装置(1,2)所检测到之半导体晶圆中之缺陷(23,23a,23b)之第2群之有关资料,进行上述第1群之座标値和上述第2群之座标値之对照,用来进行不良原因之推定;其特征是具备有:初期设定装置(31),用来设定容许范围(RO);对照装置(33),用来从上述之第2群之中检索与上述第1群之每一个不良一致之缺陷,亦即具有座标値离开该不良之座标値在上述之容许范围以内之缺陷;变位算出装置(51),在上述之第1群中,对于具有一致之缺陷之不良,用来算出各个不良到一致之缺陷之变位(Di,Dix,Diy);最频値算出装置(71),用来算出作为校正变数(g)之上述变位之最频値(h);校正缺陷位置座标算出装置(73),用来从上述第2群之座标値之中减去上述之校正变数,藉以算出校正缺陷位置座标;缺陷位置座标更新装置(40),以上述之校正缺陷位置座标更新上述之第2群之座标値。3.一种不良分析装置,根据利用测试器(3)所检测到之半导体晶圆(WH)中之不良(20,20a-20d,20p,20q,25)之第1群之有关资料,和利用缺陷检查装置(1,2)所检测到之半导体晶圆中之缺陷(23,23a,23b)之第2群之有关资料,进行上述第1群之座标値和上述第2群之座标値之对照,用来进行不良原因之推定;其特征是具备有:初期设定装置(31),用来设定容许范围(RO);对照装置(33),用来从上述之第2群之中检索与上述第1群之每一个不良一致之缺陷,亦即具有座标値离开该不良之座标値在上述之容许范围以内之缺陷;变位算出装置(51),在上述之第1群中,对于具有一致之缺陷之不良,用来算出各个不良到一致之缺陷之变位(Di,Dix,Diy);平均値算出装置(37),用来算出作为校正变数(g)之上述变位之平均値(d);最频値算出装置(71),用来算出作为校正变数(g)之上述变位之最频値(h);选择装置(81),用来选择上述之平均値和上述之最频値之其中之一;校正缺陷位置座标算出装置(39),用来从上述第2群之座标値之中减去上述被选择之校正变数,藉以算出校正缺陷位置座标;和缺陷位置座标更新装置(40),以上述之校正缺陷位置座标更新上述之第2群之座标値。4.如申请专利范围第3项之不良分析装置,其中上述之选择装置根据上述变位之频度分布,用来判定上述平均値和上述最频値之那一方可以正确的反应上述第1群和上述第2群之间之位置之误差,选择被判定为可以正确反应误差之一侧作为上述之校正变数。5.如申请专利范围第4项之不良分析装置,其中在上述之频度分布中,当最高之极大点之位置明确而且末存在与该极大点之高度近似之其他之极大点时,上述之选择装置就选择上述之最频値作为上述之校正变数,在其以外之情况时就选择上述之平均値。6.如申请专利范围第1至5项中任一项之不良分析装置,其中上述之变位算出装置对于上述第1群之中之线状不良(25),算出上述线状不良之延伸方向之正交方向之变位作为上述之变位。7.如申请专利范围第2至5项中任一项之不良分析装置,其中上述之初期设定装置(31)亦设定除了上述容许范围(RO)外之对照率基准値(SO);上述之不良分析装置更包含有:对照率判定装置(34),在上述之第1群中,用来算出具有一致之缺陷之不良所占之比例之对照率(S),和使该对照率和上述之对照率基准値进行比较;和控制装置(30),依照上述之对照率判定装置之比较结果,只有当上述之对照率超过上述之对照率基准値时,才利用上述之缺陷位置座标更新装置实行上述第2群之座标値之更新。8.如申请专利范围第1至5项中任一项之不良分析装置,其中上述之控制装置用来控制上述之对照装置,其方式是在利用上述之缺陷位置座标更新装置进行上述第2群之座标値之更新后,利用上述之对照装置再度的进行缺陷之检索。9.如申请专利范围第2至5项中任一项之不良分析装置,其中更具备有控制装置(30),用来控制上述之对照装置,其方式是在利用上述之缺陷位置座标更新装置进行上述第2群之座标値之更新后,利用上述之对照装置再度进行缺陷之检索。10.如申请专利范围第9项之不良分析装置,其中更具备有再度对照判定装置(38),用来判定上述之校正缺陷位置座标算出装置所使用之上述校正变数是否大于一定之値;和上述之控制装置用来控制上述之对照装置,其方式是只有在利用上述之再度对照判定装置判定为上述之校正变数大于上述之一定之値时,才在进行上述第2群之座标値之更新后,利用上述之对照装置再度的进行缺陷之检索。11.如申请专利范围第9项之不良分析装置,其中更具备有再度对照判定装置(38),用来计测利用上述之对照装置所进行之缺陷之检索之次数,和判定该次数是否大于一定之値;和上述之控制装置用来控制上述之对照装置,其方式是只有在利用上述之再度对照判定装置判定为上述之次数小于上述之一定之値时,才在进行上述第2群之座标値之更新后,利用上述之对照装置再度的进行缺陷之检索。12.如申请专利范围第9项之不良分析装置,其中更具备有容许范围算出装置(41,53,72,85),用来对上述之校正缺陷位置座标算出装置所使用之上述校正变数算出增加函数之値,和以上述增加函数之値更新上述之容许范围。13.如申请专利范围第12项之不良分析装置,其中上述之容许范围算出装置将上述之增加函数个别的设定成点状不良(20,20a-20d,20p,20q)和互相正交之二种之线状不良(25)之不良种别,藉以依照上述之不良种别,个别的更新上述之容许范围;和上述之对照装置在再度进行缺陷之检索时,对于上述第1群中之各个不良,依照该各个不良是点状不良和互相正交之二种线状不良之那一个,个别的使用对应之容许范围,用来进行检索。14.如申请专利范围第9项之不良分析装置,其中更具备有:分散算出装置(61),用来算出上述之变位算出装置所算出之上述变位之分散();和容许范围算出装置(62),用来算出对上述分散之增加函数之値,藉以以上述之增加函数之値更新上述之容许范围。15.如申请专利范围第1至5项中任一项之不良分析装置,其中更具备有区域分割装置(55),用来将上述之半导体晶圆分割成多个区域;和对上述之多个区域个别的进行上述校正变数之算出。图式简单说明:第一图是包含有实施形态1之装置之系统之流程图。第二图是包含有各实施形态之装置之系统之方块图。第三图是说明图,用来表示第二图之系统之动作之流程。第四图是实施形态1之装置之方块图。第五图是说明图,用来说明实施形态1之装置之动作。第六图是说明图,用来说明实施形态1之装置之动作。第七图是说明图,用来说明实施形态1之装置之动作。第八图是实施形态2之装置之方块图。第九图是包含有实施形态2之装置之系统之流程图。第十图是实施形态3之装置之方块图。第十一图是包含有实施形态3之装置之系统之流程图。第十二图是说明图,用来说明实施形态3之装置之动作。第十三图是说明图,用来说明实施形态3之装置之动作。第十四图是实施形态4之装置之方块图。第十五图是包含有实施形态4之装置之系统之流程图。第十六图是说明图,用来说明实施形态4之装置之动作。第十七图是实施形态5之装置之方块图。第十八图是包含有实施形态5之装置之系统之流程图。第十九图是实施形态6之装置之方块图。第二十图是包含有实施形态6之装置之系统之流程图。第二十一图是说明图,用来说明实施形态6之装置之动作。第二十二图是说明图,用来说明实施形态7之装置之动作。第二十三图是说明图,用来说明实施形态7之装置之动作。第二十四图是实施形态7之装置之方块图。第二十五图是包含有实施形态7之装置之系统之流程图。第二十六图是实施形态之装置之方块图。第二十七图是包含有实施形态8之装置之系统之流程图。第二十八图是说明图,用来说明容许范围之概念。第二十九图是说明图,用来说明容许范围之概念。 |
