| 主权项 |
1.一种铝或铝合金制真空室构件,其特征为:在表面具有其拥有许多呈开口状的孔的多孔质层,及由无孔之障壁层所形成之阳极氧化皮膜;上述多孔质层之孔径,在表面部份较小,在底材部份较大。2.如申请专利范围第1项之铝或铝合金制真空室构件,其中多孔质层之孔径,在深度方向之任意区间中,具有连续的变化部。3.如申请专利范围第1项或第2项之铝或铝合金制真空室构件,其中多孔质层之孔径,系在深度方向之任意区间中,具有非连续的变化部。4.如申请专利范围第2项之铝或铝合金制真空室构件,其中多孔质层之孔径,系在深度方向之任意区间,具有非变化部。5.如申请专利范围第1项或第2项中任何一项之铝或铝合金制真空室构件,其中于阳极氧化皮膜系含有,由C,S,N,P,F,B所形成之元素群中所选出之2种以上之元素。6.如申请专利范围第1项或第2项中任何一项之铝合金制真空室构件,其中底部中之晶出物及析出物之平均粒径,系为10m以下。7.如申请专利范围第1项或第2项中任何一项之铝合金制真空室构件,其中底部中之晶出物及析出物,系对于其具有构件表面中最大面积之构件表面,为平行地配置排列。8.如申请专利范围第1项或第2项中任何一项之铝合金制真空室构件,其中当底部中之晶出物及析出物之平均粒径为10m以下时,同时上述晶出物及析出物,系对其具有构件表面中最大面积之构件表面,为平行地配置排列。9.一种铝或铝合金制真空室构件之表面处理方法,其特征为:当在铝或铝合金制真空室构件之表面,施行阳极氧化处理时,系从阳极氧化之初期电压开始,来提高其阳极氧化之末期电压。10.如申请专利范围第9项之铝或铝合金制真空室构件之表面处理方法,其中在整个作业之任意区间,可连续性变化其阳极氧化电压。11.如申请专利范围第9项或第10项之铝或铝合金制真空室构件之表面处理方法,其中在整个作业之任意区间,可非连续地变化其阳极氧化电压。12.如申请专利范围第10项之铝或铝合金制真空室构件之表面处理方法,其中在整个作业之任意区间,可保持阳极氧化电压于一定。13.如申请专利范围第9项或第10项中任何一项之铝或铝合金制真空室构件之表面处理方法,其中阳极氧化之初期电压,系为50V以下。14.如申请专利范围第9项或第10项中任何一项之铝或铝合金制真空室构件之表面处理方法,其中阳极氧化之末期电压,系为30V以上。15.如申请专利范围第9项或第10项中任何一项之铝或铝合金制真空室构件之表面处理方法,其中作为阳极氧化处理液,系采用其含有1g/ l以上之草酸之溶液。16.如申请专利范围第15项之铝或铝合金制真空室构件之表面处理方法,其中在前述之溶液内,系含有由S,N,P,F,B所形成之元素群中所选出之1种以上之元素。17.一种铝或铝合金制真空室构件之表面处理方法,系属于利用在铝或铝合金制真空室构件来进行阳极氧化处理,使其在表面形成有,由具有许多呈开口状之孔之多孔质层,及无孔之障壁层,所构成之阳极氧化皮膜之形态之铝或铝合金制真空室构件之表面处理方法,其特征为:首先施以多孔质型阳极氧化处理,其次进行非多孔质型阳极氧化处理。18.如申请专利范围第17项之铝或铝合金制真空室构件之表面处理方法,其中当施以上述多孔质型阳极氧化处理时,系从多孔质型阳极氧化之初期电压开始,提高其多孔质型阳极氧化之末期电压。19.如申请专利范围第17项或第18项之铝或铝合金制真空室构件之表面处理方法,其中在整个作业之任意区间,可连续性变化其多孔质型阳极氧化电压。20.如申请专利范围第18项之铝或铝合金制真空室构件之表面处理方法,其中在整个作业之任意区间中,可非连续地变化其多孔质型阳极氧化电压。21.如申请专利范围第18项之铝或铝合金制真空室构件之表面处理方法,其中在整个作业之任意区间中,可连续性变化其多孔质型阳极氧化电压;同时,在其他之任意区间中,可非连续地变化其多孔质型阳极氧化电压。22.如申请专利范围第18,20或21项中任何一项之铝或铝合金制真空室构件之表面处理方法,其中多孔质型阳极氧化之初期电压,系为50V以下。23.如申请专利范围第18,20或21项中任何一项之铝或铝合金制真空室构件之表面处理方法,其中多孔质型阳极氧化之末期电压,系为30V以上。24.一种耐气体腐蚀性及耐电浆性优越之真空室构件用材料,其特征为:由铝合金所组成之晶出物及析出物之平均粒径,系为10m以下。25.一种耐气体腐蚀性及耐电浆性优越之真空室构件用材料,其特征为:由铝合金所组成之晶出物及析出物,对于其具有构件表面中最大面积之构件表面,呈平行地配置排列。26.一种耐气体腐蚀性及耐电浆性优越之真空室构件用材料,其特征为:由铝合金所组成之晶出物及析出物之平均粒径,系为10m以下;同时上述晶出物及析出物,对于其拥有构件表面中最大面积之构件表面,系呈平行地配置排列。27.如申请专利范围第24-26项中任何一项之真空室构件用材料,其中前述晶出物及析出物之体积百分比,系为2%以下。图式简单说明:第一图系用以显示多孔质型阳极氧化皮膜之概略构造之一部份断面说明图。第二图系多孔质型阳极氧化皮膜之断面说明图。第三图系用以显示其利用3种阳极氧化处理溶液之电解电压与电流密度的关系之图形。第四图系用以显示本发明之表面处理方法之电解电压图形例之图形。第五图系用以显示其表面处理方法之电解电压图形之比较例之图形。第六图系用以显示本发明表面处理方法之电解电压图形例之图形。第七图系用以显示其表面处理方法之电解电压图形之比较例之图形。第八图系用以显示其利用本发明之表面处理方法所形成之阳极氧化处理皮膜之构造之说明图。第九图系用以显示其晶出物及析出物,与构件表面在垂直方向呈配置排列之例子之代用图面显微镜相片。第十图系用以显示其晶出物及析出物,与构件表面在平行方向呈配置排列之例子之代用图面显微镜相片。 |
