| 主权项 |
1.一种制造非挥发性记忆体装置之方法,该制造方法至少包括下列步骤:在一具有一第一导电性的一基底下,以一预先设定的距离,形成一同方向、互相隔开且具有第二导电性的位元线;在该表面上形成一隔离层与一第一导电层,选择性移除该隔离层与该第一导电层,使其互相隔开且与该位元线互相直交而形成一第一导线;在该基底上形成一闸极绝缘层,在该第一导线与该隔离层上形成一穿隧绝缘层;形成一第二导电层,选择性移除该第二导电层、该穿隧氧化层与该第一导线,形成一第二导线,作为位元线的一浮置闸与一编程闸;在该第二导线上形成一介电层;在包括有该介电层的表面上形成一第三导电层与一绝缘层,选择性移除该绝缘层、该第三导电层、该介电层与该第二导电层,以形成一字元线与该第一导线间之该浮置闸,并与该位元线直交;在经定义之该绝缘层、该字元线、该介电层与该浮置闸侧边形成一绝缘侧墙间隙壁;利用该绝缘侧墙间隙壁作为一罩幕,选择性定义该编程穿隧绝缘层,以形成一接触窗;以及形成一编程线,透过该接触窗与该编程闸电性耦接。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该编程线在邻接的该位元线间形成。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,利用植入N型杂质进入具有该第一导电性的该基底,形成该位元线。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,对暴露出的该基底与该第一导线进行一热氧化制程,分别形成该绝缘层与该穿隧绝缘层。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该闸极绝缘层的厚度约为9-11nm。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,定义该位元线的位置,形成该位元线之该侧墙间隙壁,植入杂质以形成该位元线。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,以化学气相沈积法形成该绝缘层。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该浮置闸与邻接的该编程闸的一角落部份重叠。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该编程闸以一方形形式存在。10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该介电层材料可以为氧化物-氮化物-氧化物(ONO)。11.一种制造非挥发性记忆体装置之方法,该制造方法至少包括下列步骤:在一具有一第一导电性的一基底下,以一预先设定的距离,形成一同方向、互相隔开且具有第二导电性的位元线;形成一隔离层与一第一导电层,选择性移除该隔离层与该第一导电层,使其互相隔开且与该位元线互相直交而形成一第一导线;在该基底上形成一闸极绝缘层,在该第一导线上形成一穿隧绝缘层;在该表面上形成一第二导电层,选择性移除该第二导电层、该穿隧氧化层与该第一导线与该隔离层,形成一第二导线,作为该位元线的一浮置闸与一编程闸,而该隔离层在位元线间;在该第二导线上形成一介电层;在包括有该介电层的表面上形成一第三导电层与一绝缘层,选择性移除该绝缘层、该第三导电层、该介电层与该第二导电层,以形成一字元线与该第一导线间之该浮置闸,并与该位元线直交;在经定义之该绝缘层、该字元线、该介电层与该浮置闸侧边形成一绝缘侧墙间隙壁;利用该绝缘侧墙间隙壁作为一罩幕,选择性定义该编程穿隧绝缘层,以形成接触窗;以及形成一编程线,透过该接触窗与该编程闸电性耦接。图式简单说明:第一图系显示一种一般具有简单堆叠结构之非挥发性记忆胞结构剖面图;第二图系显示一般具有简单堆叠结构之非挥发性记忆胞之一阵列电路图;第三图系显示传统末具金属接触窗之非挥发性记忆胞之一阵列电路图;第四图系显示沿第三图线I-I传统末具金属接触窗之非挥发性记忆胞之结构剖面图;第五图系显示系显示传统未具金属接触窗之非挥发性记忆胞之一阵列电路图,其中每一细胞的源极与汲极互相隔开;第六图系显示未具藉通道-分隔胞修饰的金属接触窗之非挥发性记忆胞之结构剖面图;第七图系显示根据本发明非挥发性记忆体之一电路符号;第八图系显示根据本发明非挥发性记忆体组成之一第一阵列电路图;第九图系显示根据本发明非挥发性记忆体组成之一第二阵列电路图;第十图系显示根据本发明非挥发性记忆体之布局;第十一图系显示沿第十图线I-I非挥发性记忆胞之结构剖面图;第十二图系显示沿第十图线II-II非挥发性记忆胞之结构剖面图;第十三图系显示沿第十图线III-III非挥发性记忆胞之结构剖面图;第十四图系显示沿第十图线IV-IV非挥发性记忆胞之结构剖面图;第十五图A至第十五图D系显示根据本发明较佳实施例之第十图线I-I非挥发性记忆胞结构之制造流程剖面图。第十六图A至第十六图D系显示根据本发明较佳实施例之第十图线II-II非挥发性记忆胞结构之制造流程剖面图。 |
