| 主权项 |
1.一种生成一种钨插塞之方法,包含:于一种接触孔之内沉积至少三层连续属之钨,每种层系以不同于沉积先前层之速率之沉积作用速率沉积,该层系以大于40埃/秒之沉积作用之快速速率及小于40埃/秒之沉积作用之缓慢速率交替地沉积。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中每层之至少三层连续层之钨系经由六氟化钨之氢还原作用而沉积。3.根据申请专利范围第2项之方法,其中每层之沉积作用系以持续约10秒钟至约2分钟之无生长之期间分隔。4.根据申请专利范围第1项之方法,其中沉积至少五层连续属之钨。5.根据申请专利范围第3项之方法,其中沉积至少五层连续层之钨。6.一种生成一种电子装置之方法,包含:提供一种具有导电层之基材,于导电层上生成之一种绝缘体层及于绝缘体层中生成一种接触孔,以暴露导电层之一部分;于接触孔之内沉积至少三层之钨,以至少实质上填充接触孔,该至少三层之钨以不同于沉积先前层之沉积速率来沉积,因而生成一种钨插塞,具有于基材之导电层与另一种导电元件之间提供电连接之能力。7.根据申请专利范围第6项之方法,其中于接触孔之内沉积至少五层之钨。8.根据申请专利范围第6项之方法,其中沉积每种连续层之钨之阶段包含以H2还原WF6。9.根据申请专利范围第6项之方法,其中至少三层之钨系以大于40埃/秒之沉积作用之快速速率及小于40埃/秒之沉积作用之缓慢速率交替地沉积。10.一种于一种底材中生成之一种接触孔之内生成一种钨插塞之方法,方法包含:(a)经由WF6之H2还原作用以大于40埃/秒之沉积作用之速率沉积一层之钨;(b)经由WF6之H2还原作用以小于40埃/秒之沉积作用之速率沉积一层之钨;及(c)以一种交替之方式重复阶段(a)及(b)足够数目之次数,以至少实质上填充接触孔,因而生成一种层化之钨插塞。11.根据申请专利范围第10项之方法,其中该阶段(a)包含将H2以约6000至约7500 SCCM之流率引进入包含底材之一种室中及将WF6以约300至约500 SCCM之流率引进入室中,于室之内之总压力系约10至约100托。12.根据申请专利范围第10项之方法,其中该阶段(b)包含将H2以约3000至约5000 SCCM之流率引进入包含底材之一种室中及将WF6以约100至约300 SCCM之流率引进入室中,于室之内之总压力系约10至约100托。13.根据申请专利范围第10项之方法,其中层化之钨插塞包括至少五层之钨。14.一种于一种底材中生成之一种接触孔之内生成一种钨插塞之方法,方法包含:经由WF6之H2还原作用以沉积作用之第一种速率沉积第一层之钨;经由WF6之H2还原作用以沉积作用之第二种速率沉积第二层之钨;沉积作用之第二种速率系较缓慢于沉积作用之第一种速率;及经由WF6之H2还原作用以沉积作用之第三种速率沉积第三层之钨,沉积作用之第三种速率系较快速于沉积作用之第二种速率。15.根据申请专利范围第14项之方法,另外包含经由WF6之H2还原作用以沉积作用之第四种速率沉积第四层之钨,沉积作用之第四种速率系较缓慢于沉积作用之第三种速率;及经由WF6之H2还原作用以沉积作用之第五种速率沉积第五层之钨,沉积作用之第五种速率系较快速于沉积作用之第四种速率。16.根据申请专利范围第15项之方法,另外包含经由WF6之H2还原作用以沉积作用之第六种速率沉积第六层之钨,沉积作用之第六种速率系较缓慢于沉积作用之第五种速率;及经由WF6之H2还原作用以沉积作用之第七种速率沉积第七层之钨,沉积作用之第七种速率系较快速于沉积作用之第六种速率。17.根据申请专利范围第16项之方法,其中沉积作用之第一种、第三种、第五种及第七种速率系大于40埃/秒。18.一种生成一种电子装置之方法,包含:提供具有第一种层、于第一种层上生成之一种绝缘体层及于绝缘体层中生成之一种接触孔之一种底材,及暴露第一种层之一部分;于接触孔之内沉积至少五层之钨以至少实质上填充接触孔。19.根据申请专利范围第18项之方法,其中以沉积作用之交替之快速及缓慢之速率沉积至少五层。20.一种电子装置,包含:第一种层;第二种层;及于该第一种层与该第二种层之间提供电接触之一种互联结构,互联结构包含具有至少五层之一种钨插塞。图式简单说明:第一图A-第一图C系使用习用、先前技艺技术于钨插塞(于窗高度或于通道高度)之配制之期间于各种阶段之结构之略图;第二图系表示根据于本文中揭示之一种方法生成一种钨插塞(于窗或通道高度)之阶段之一种流程图;第三图A-第三图D系于根据本揭示之方法配制一种层化之钨插塞之期间于各种阶段之结构之略图。 |
