| 主权项 |
1.一种半导体记忆体元件,其包含有:包括一记忆晶胞电晶体于其中之一半导体层;在该半导体层上面以便掩埋该记忆晶胞电晶体于下方之一隔离层;在该隔离层内以便曝露该记忆晶胞电晶体之一扩散区域的一穿孔;在该穿孔内而与该扩散区域接触之一记忆晶胞电容器;除了延伸超出该半导体层之一表面部份之外,该穿孔包含一延伸部份,该延伸部份延伸经过跨越该扩散区域之该半导体层;除了延伸超出该半导体层之一表面部份之外,该记忆晶胞电容器包含一延伸部份,以致该记忆晶胞电容器之该延伸部份沿该穿孔之该延伸部份延伸至该半导体层。2.如申请专利范围第1项之半导体记忆体元件,其中该记忆晶胞电晶体包含有每组之二侧壁被一隔离膜所覆盖之多数个闸样型,该闸样型之该隔离膜形成该穿孔之一侧壁。3.如申请专利范围第1项之半导体记忆体元件,其中该记忆晶胞电容器包含有:沿着该穿孔之该表面部份延伸而与该穿孔之一侧壁接触之一第一累积电极膜;沿着该穿孔之该延伸部份延伸并且接续该第一累积电极膜而与该穿孔之一侧壁接触之一第二累积电极膜;供应于该第一累积电极上之一第一介电膜,供应于该第二累积电极上并且接续该第一介电膜之一第二介电膜;以及供应于该第二介电膜上并且接续该第一相对电极之一第二相对电极。4.如申请专利范围第1项之半导体记忆体元件,其中该穿孔之该延伸部份之直径大致等于该穿孔之该表面部份之一部份的直径,该穿孔之该表面部份接触于该穿孔之该延伸部份。5.如申请专利范围第1项之半导体记忆体元件,其中该穿孔之该延伸部份之直径大致大于该穿孔之该表面部份之一部份的直径,该穿孔之该表面部份接触于该穿孔之该延伸部份。6.如申请专利范围第1项之半导体记忆体元件,进一步包含一隔离基片于该半导体层下方,该穿孔之该延伸部份和该记忆晶胞电容器之该延伸部份延伸进入该隔离基片。7.如申请专利范围第6项之半导体记忆体元件,其中该穿孔之该延伸部份之直径大致等于该穿孔之该表面部份之一部份的直径,该穿孔之该表面部份接触于该穿孔之该延伸部份。8.如申请专利范围第6项之半导体记忆体元件,其中该穿孔之该延伸部份之直径大致大于该穿孔之该表面部份之一部份的直径,该穿孔之该表面部份接触于该穿孔之该延伸部份。9.一种包含形成于一半导体层上之多数个记忆胞之半导体记忆体元件的制造方法,各该等记忆胞包含:在该半导体层上面而有一闸氧化物膜介于其间之一闸样型;形成于该半导体层内而邻接该闸样型之第一侧之第一扩散区域;形成于该半导层内而邻接该闸样型之一相对第二侧之一第二扩散区域;以及接触该第一扩散区域之一记忆晶胞电容器;该方法包含的步骤有:与该闸样型之一横截面形状一致地以一隔离膜覆盖各该等闸样型之侧壁,以致于第一和第二自对齐开孔,各由该隔离膜所形成,以一种自对齐方式分别地形成于一第一对相邻闸样型之间和一第二对相邻闸样型之间,以致该等第一和第二自对齐开孔分别地曝露该等第一和第二扩散区域;淀积一层间隔离层于该半导体层上面以便掩埋包括该等第一和第二自对齐开孔之该等闸样型于下方;利用一第一蚀程序在该层间隔离层内形成第一和第二穿孔以便曝露该等第一和第二自对齐开孔;使用该隔离膜作为一自对齐光罩而利用一第二蚀刻程序进一步延伸该等第一和第二穿孔进入该半导体层,以便对应于该等第一和第二穿孔分别地形成延伸经该半导体层之第一和第二低凹处;以及在该第二蚀刻程序之后,在包含该第一和第二低凹处之各该等第一和第二穿孔之内形成一记忆晶胞电容器。10.如申请专利范围第9项之方法,其中形成该记忆晶胞电容器之该步骤包含有:沿包含该第一低凹处之该第一穿孔之一内壁淀积一第一导体层;在包含该第一低凹处之该第一导体层上淀积一介电膜;以引在包含该第一低凹处之该介电膜上淀积一第二导体层。11.如申请专利范围第9项之方法,进一步包含形成一接触构造使得该接触构造充填该第二穿孔之步骤,形成该接触构造之该步骤是与形成该记忆晶胞电容器之该步骤同时地进行。12.如申请专利范围第9项之方法,其中该半导体记忆装置更包含一隔离基片于该半导体层下方,该第二蚀刻程序之进行延伸该等第一和第二穿孔进入该隔离基片。13.如申请专利范围第12项之方法,其中该第二蚀刻程序包含选择地作用于该隔离基片之一蚀刻程序。14.一种包含形成于一半导体层上之多数个记忆胞之半导体记忆体元件的制造方法,各该等记忆胞包含:在该半导体层上面而有一闸氧化物膜介于其间之一闸样型;形成于该半导体层内而邻接该闸样型之第一侧之第一扩散区域;形成于该半导层内而邻接该闸样型之一相对第二侧之一第二扩散区域;以及接触该第一扩散区域之一记忆晶胞电容器;该方法包含的步骤有:与该闸样型之一横截面形状一致地以一隔离膜覆盖各该等闸样型之侧壁,以致于一自对齐开孔,由该隔离膜所形成,以一种自对齐方式形成于一对相邻闸样型之间,该自对齐开孔因而曝露出该等第一和第二扩散区域之一;淀积一层间隔离层于该半导体层上面以便掩埋包括该等第一和第二自对齐开孔之该等闸样型于下方;利用一第一蚀刻程序在该层间隔离层内形成一穿孔以便曝露该自对齐开孔;使用该隔离膜作为一自对齐光罩而利用一第二蚀刻程序进一步延伸该穿孔进入该半导体层,以便形成一延伸部份;以及在包含该延伸部份之该第二蚀刻程序之后,在该穿孔内形成一记忆晶胞电容器。图式简单说明:第一图是展示一种习见DRAM记忆胞之构造图;第二图A-第二图J是展示依据本发明之一第一实施例之DRAM记忆胞的制造程序图;第三图是展示依据本发明之一第二实施例之DRAM记忆胞之构造图;第四图是展示依据本发明之一第三实施例之DRAM记忆胞之构造图;第五图是展示依据第三实施例之修改的DRAM记忆胞之构造图;第六图是展示依据本发明之一第四实施例之DRAM记忆胞之构造图;以及第七图是展示依据本发明之一第五实施例之DRAM记忆胞之构造图。 |
