| 主权项 |
1.一种具有正温度特性(PTC)之热敏电阻元件,其具有一正温度特性的平面之陶瓷构件,该陶瓷构件系具有周围部份围绕中心部份之主表面,该陶瓷构件系具有在该整个周围部份大于该中心部份之厚度。2.如申请专利范围第1项之正温度特性(PTC)热敏电阻元件,其中该陶瓷构件系具有突出部在该主表面的整个周围部份上。3.如申请专利范围第1项之正温度特性(PTC)热敏电阻元件,其系具有一沟槽于该周围部份。4.如申请专利范围第1项之正温度特性(PTC)热敏电阻元件,其中该陶瓷构件的厚度系从该周围部份向该中心部份递减。5.如申请专利范围第2项之正温度特性(PTC)热敏电阻元件,其中该陶瓷构件的厚度系从该周围部份向该中心部份递减。6.如申请专利范围第3项之正温度特性(PTC)热敏电阻元件,其中该陶瓷构件的厚度系从该周围部份向该中心部份递减。7.如申请专利范围第1项之正温度特性(PTC)热敏电阻元件,其中该陶瓷构件的厚度系从该周围部份向该中心部份以阶梯式的方式减少。8.如申请专利范围第1项之正温度特性(PTC)热敏电阻元件,其中该陶瓷构件在沿着该周围部份上具有一圆滑边缘。9.一种具有正温度特性(PTC)之热敏电阻,其包含:一具有一正温度特性的平面之陶瓷构件的正温度特性(PTC)热敏电阻元件,该陶瓷构件系具有周围部份围绕中心部份之主表面,该陶瓷构件系具有在该整个周围部份大于该中心部份之厚度;以及在该主表面上的电极。10.如申请专利范围第9项之正温度特性(PTC)热敏电阻,其中该电极各具有在该主表面之整个相对面上的下层电极以及在该下层电极之上的上层电极。11.如申请专利范围第10项之正温度特性(PTC)热敏电阻,其中该上层电极系具有小于该下层电极之表面积,该下层电极的一部份系被暴露于该周围部份。12.如申请专利范围第10项之正温度特性(PTC)热敏电阻,其中该上层电极系位在该每个主表面的中心部份而除了该周围部份以外。13.如申请专利范围第10项之正温度特性(PTC)热敏电阻,该下层电极系具有以Ni为主要成分之金属,并且该上层电极系具有另外以Ag为主要成分之金属。图式简单说明:第一图系为根据本发明之第一实施例的PTC热敏电阻元件之斜面图;第二图系为本发明之测试例1的PTC热敏电阻之剖面图;第三图系为本发明之测试例2的PTC热敏电阻之剖面图;第四图系为本发明之测试例3的PTC热敏电阻之剖面图;第五图系为本发明之测试例4的PTC热敏电阻之剖面图;第六图系为根据本发明之第二实施例藉由在一PTC热敏电阻元件上形成电极而获得之PTC热敏电阻的部份剖面斜面图;第七图系为根据本发明之第三实施例藉由在一PTC热敏电阻元件上形成电极而获得之PTC热敏电阻的剖面图;第八图系为根据本发明之第四实施例藉由在一PTC热敏电阻元件上形成电极而获得之PTC热敏电阻的剖面图;第九图系为根据本发明之第五实施例藉由在一PTC热敏电阻元件上形成电极而获得之PTC热敏电阻的剖面图;第十图系为根据本发明之第六实施例藉由在一PTC热敏电阻元件上形成电极而获得之PTC热敏电阻的剖面图;第十一图系显示在一消磁电路中流经一消磁线圈之交流衰减电流;第十二图系为一用以测量定义于后之Pmax的电路图;以及第十三图系为一习知的PTC热敏电阻之斜面图。 |
