发明名称 正光阻剂之显影方法及其组合物
摘要 本发明系说明一种使正光阻剂显影之方法及组合物。本发明之显影剂包括硷性氢氧化铵水溶液和一种最佳存在量为10至30ppm之氟化烷基烷氧化物界面活性剂。特佳界面活性剂系包含磺醯基与胺基部份。
申请公布号 TW353159 申请公布日期 1999.02.21
申请号 TW085100831 申请日期 1996.01.24
申请人 万国商业机器公司 发明人 马利那.维.普雷特
分类号 G03F7/39 主分类号 G03F7/39
代理机构 代理人 陈长文 台北巿敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种使正光阻剂薄膜之受质显影之方法,其基本上包括以下步骤,于一基质上涂覆一光阻以形成一薄膜、呈像曝光该光阻薄膜、于该薄膜上涂敷一种实质上含有水性氢氧化铵硷和经氟化烷基烷氧化物界面活性剂之含水硷性显影剂组合物,其中该界面活性剂的存在量为10至30ppm,接着冲洗该薄膜上之显影剂组合物,其中在该显影剂组合物中之氢氧化铵硷之当量浓度为0.15至0.5N,该受质包括酚-甲醛树脂和重氮 光活性化合物,且该经氟化烷基烷氧化物其下式:其中n是从6至15之整数。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中在该显影剂组合物中之氢氧化铵硷之当量浓度为0.2至3.5N。3.根据申请专利范围第1项之方法,其中在该显影剂组合物中之氢氧化铵硷之当量浓度为0.261N。4.根据申请专利范围第1项之方法,其中该氢氧化铵硷系选自包括氢氧化四甲基铵、氢氧化三甲塞乙醇铵、氢氧化四(2-羟乙基)铵和其混合物。5.根据申请专利范围第4项之方法,其中该氢氧化铵硷是氢氧化四甲基铵。6.根据申请专利范围第1项之方法,其中n为10。
地址 美国