| 主权项 |
1.一种半导体装置,其特征为:具备n型半导体基板,及形于该n型半导体基板一方表面之p型领域,及形成于该p型领域内之阴极(cathode)领域及形成于n型半导体基板另方表面之高不纯物浓度之n型第1外延成长层,及构成形成于该第1外延成长层上之板极层之第2外延成长层。2.一种半导体装置之制造方法,即具备在n型半导体基板一方表面上形成n型第1外延成长层之工程,及在该第1外延成长层上形成n型第2外延成长层之工程,将该第2外延成长层用做板极层。3.如申请专利范围第2项记载之半导体装置之制造方法,系在形成前述第2外延成长层后,研磨前述半导体基板背面。4.如申请专利范围第2项记载之半导体装置之制造方法,系将前述第1外延成长层,形成厚度与浓度之积为1014cm-2以上1015cm-2以下之n型半导体层。5.如申请专利范围第3项记载之半导体装置之制造方法,系将前述第1外延成长层,形成厚度与浓度之积为1014cm-2以上1015cm-2以下之n型半导体层。6.如申请专利范围第2项记载之半导体装置之制造方法,系将前述第2外延成长层,形成浓度1018cm-3以上之含有p型不纯物,厚度成为3m以上之半导体层。7.如申请专利范围第3项记载之半导体装置之制造方法,系将前述第2外延成长层形成浓度1018cm-3以上之含有p型不纯物,厚度成为3m以上之半导体层。8.如申请专利范围第4项记载之半导体装置之制造方法,系将前述第2外延成长层,形成浓度1018cm-3以上之含有p型不纯物厚度3m以上之半导体层。9.如申请专利范围第5项记载之半导体装置之制造方法,系将前述第2外延成长层,形成浓度1018cm-3以上之含有p型不纯物,厚度3m以上之半导体层。10.如申请专利范围第2项记载之半导体装置之制造方法,系将前述第2外延成长层,形成浓度1015cm-3以下之含有不纯物,厚度3m以上之半导体层后由前述外延成长层表面用扩散法时p型不纯物添加于前述第2外延成长层,使前述外延成长层表面之p型不纯物表面浓度为1018cm-3以上。11.如申请专利范围第3项记载之半导体装置之制造方法,系将前述第2外延成长层,形成浓度1015cm-3以下之含有不纯物,厚度3m以上之半导体层后由前述外延成长层表面用扩散法时p型不纯物添加于前述第2外延成长层,使前述外延成长层表面之p型不纯物表面浓度为1018cm-3以上。12.如申请专利范围第4项记载之半导体装置之制造方法,系将前述第2外延成长层,形成浓度1015cm-3以下之含有不纯物,厚度3m以上之半导体层后由前述外延成长层表面用扩散法将p型不纯物添加于前述第2外延成长层,使前述外延成长层表面之p型不纯物表面浓度为1018cm-3以上。13.如申请专利范围第5项记载之半导体装置之制造方法,系将前述第2外延成长层,形成浓度1015cm-3以下之含有不纯物,厚度3m以上之半导体层后由前述外延成长层表面用扩散法将p型不纯物添加于前述第2外延成长层,使前述外延成长层表面之p型不纯物表面浓度为1018cm-3以上。14.如申请专利范围第6项记载之半导体装置之制造方法,系将前述第2外延成长层,形成浓度1015cm-3以下之含有不纯物,厚度3m以上之半导体层后由前述外延成长层表面用扩散法将p型不纯物添加于前述第2外延成长层,使前述外延成长层表面之p型不纯物表面浓度为1018cm-3以上。15.如申请专利范围第7项记载之半导体装置之制造方法,系将前述第2外延成长层,形成浓度1015cm-3以下之含有不纯物,厚度3m以上之半导体层后由前述外延成长层表面用扩散法将p型不纯物添加于前述第2外延成长层,使前述外延成长层表面之p型不纯物表面浓度为1018cm-3以上。16.如申请专利范团第8项记载之半导体装置之制造方法,系将前述第2外延成长层,形成浓度1015cm-3以下之含有不纯物,厚度3m以上之半导体层后由前述外延成长层表面用扩散法将p型不纯物添加于前述第2外延成长层,使前述外延成长层表面之p型不纯物表面浓度为1018cm-3以上。17.如申请专利范围第9项记载之半导体装置之制造方法,系将前述第2外延成长层,形成浓度1015cm-3以下之含有不纯物,厚度3m以上之半导体层后由前述外延成长层表面用扩散法时p型不纯物添加于前述第2外延成长层,使前述外延成长层表面之p型不纯物表面浓度为1018cm-3以上。图式简单说明:第一图:表示本发明之第1实施例半导体装置之制造方法之断面图。第二图:表示本发明之第2实施例半导体装置之制造方法之断面图。第三图:表示本发明之第3实施例半导体装置之制造方法之断面图。第四图:表示先前之可控矽(thyzistor)构造断面图。第五图:表示先前之半导体装置之制造方法之断面图。第六图:表示元件耐压与外延成长层厚度之关系图。第七图:表示先前之半导体装置之制造方法之断面图。第八图:表示使用以先前之制造方法制造之半导体基板形成之半导体装置之ON电压图。 |
