| 发明名称 |
SUBSTRAT EPITAXIAL A CONCENTRATION PROGRESSIVE POUR DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS A DIFFUSION PAR RESURF |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
FR2744836(B1) |
申请公布日期 |
1999.03.19 |
| 申请号 |
FR19970000467 |
申请日期 |
1997.01.17 |
| 申请人 |
INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION |
发明人 |
RANJAN NIRAJ |
| 分类号 |
H01L23/58;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/40;H01L29/739;H01L29/78;H01L29/861;(IPC1-7):H01L29/36;H01L21/823 |
主分类号 |
H01L23/58 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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