| 摘要 |
기판과, 기판 상에 마련된 게이트 전극과, 게이트 전극을 덮어 마련된 제1 게이트 절연층과, 제1 게이트 절연층 상에 마련된 제2 게이트 절연층과, 제2 게이트 절연층 상에 마련된 유기 반도체층과, 유기 반도체층에 접하여 마련되고, 유기 반도체층을 통하여 연결된 소스 전극 및 드레인 전극을 갖는 보텀 게이트형 유기 박막 트랜지스터로서, 제1 게이트 절연층의 제2 게이트 절연층측 표면에는 배향 처리가 실시되고, 제2 게이트 절연층이, 배향 처리에 따라 배향시킨 중합성의 액정성 화합물을 배향 상태에서 중합 고정화시켜 이루어지는 층인, 유기 박막 트랜지스터. |
