摘要 |
<p>Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Matrix aus Dünnschichttransistoren, insbesondere mit a:Si-H als Halbleiter, für Flüssigkristallbildschirme vorgeschlagen, das lediglich drei Belackungsschritte aufweist, in dem einige Prozeßschritte durch Doppelbelichtung von Fotolack miteinander verschmolzen werden. Mit diesem Verfahren lassen sich Transistoren mit sehr guten elektrischen Eigenschaften und Flüssigkristallbildschirme mit nur geringen Bildpunktfehlern herstellen.</p> |