| 主权项 |
1.一种微控制器装置,制成在一积体电路晶片上,具有一嵌入之EPROM阵列,该微控制器有一最大供给电压,该阵列包含成列及成行之可定址记忆体元件,其各可在一界限电压位准予以规划及选择性读取,以确定其资料内容,并且各包含一有闸,源极及汲极电极之电晶体,该装置包含:装置,供在或实际在微控制器供给电压之最大位准施加一列控制电压至予以读取之预先选定记忆体元件之闸电极,其可超过预先选定记忆体元件之规划界限电压,以使列控制电压电容过量充电至该供给电压之实际最大位准;装置,供使该列控制电压随后电容放电,以供其减低至一预定位准低于该供给电压之最大位准,从而使列控制电压迅速稳定,而无较大量电流耗散;以及装置,供读取预先选定记忆体元件之资料内容,同时该列控制电压藉确立电路路径以导使电流流动通过电晶体之源极汲极路径,而为在减低之预定位准。2.根据申请专利范围第1项之微控制器装置,其中供读取预先选定记忆体元件之资料内容之装置,包括供将电晶体之源极汲极路径自个别记忆体元件为电浮动之状况连接至一电参考电位之装置。3.根据申请专利范围第2项之装置,另包括供在第一时钟周期在该供给电压之实际最大位准施加该列控制电压之装置,供在次一时钟周期将该列控制电压放电至减低之预定位准之装置,以及供在该次一时钟周期读取预先选定记忆体元件之装置。4.一种供自一可抹除可规划唯读记忆体(EPROM)高速读取资料之方法,其有一依据在阵列之列及行之交点之装置状态予以规划之记忆体阵列,以将资料作为0及1储存在其中,该方法包含下列步骤:在一时钟循环将一有一关联有效电容之阵列之列过量充电至EPROM之供给电压之实际最大位准,藉以将其迅速过度驱动,该最大位准超过予以读取之该列选定记忆体元件之规划界限电压,随后在次一时钟循环将有效电容放电至一预定电压位准低于该最大供给电压位准,并且然后读取选定记忆体元件之状态及资料内容。5.根据申请专利范围第4项之方法,其中读取该选定记忆体元件之资料内容之步骤,系藉将一包含该记忆体元件之电晶体之源极汲极路径之电极接地,以导使实际无DC组份之电流流动通过电晶体之该路径所完成。6.根据申请专利范围第5之方法,另包括下列步骤:在该电晶体之源极汲极路径触发一感测放大器,以检测流动通过之电流,作为记忆体元件之资料内容之指示。7.根据申请专利范围第6项之方法,其中用以过度驱动及放电之电压位准予以加至该电晶体之控制闸电极。8.一种高速可抹除可规划唯读记忆体(EPROM)有一记忆体阵列,其中资料藉在阵列之列及行之交点规划记忆体元件予以储存,该EPROM包含:供一包含一予以读取之记忆体元件之阵列之列电容过量充电至一对应于EPROM之实际最大供给电压位准,可能超过该予以读取之记忆体元件规划界限电压之电压之装置;供使该列电压快速放电至一预定位准于该最大供给电压位准之装置;以及供随后使一电流通过,藉以读取该记忆体元件之装置。9.根据申请专利范围第8项之记忆体,另包括供使过度驱动,放电,及读取定时,以在EPROM之连续时钟循环发生之装置。图式简单说明:第一图为一种嵌入微控制器装置,其中使用本发明之例证性EPROM阵列电路之电路图;第二图为电路图,例示根据本发明,供一EPROM记忆体元件之读取电路中之过量充电/放电之较佳实施例及方法;以及第三图为第二图之电路中所使用之一种调节电压参考产生器之例证性实施例。 |
