| 主权项 |
1.一种制备半导体元件的方法,它具有高电压与低电压电晶体于单一半导体基板上,该方法所包括的步骤为:形成隔离高电压与低电压电晶体领域之膜层于第一导电性半导体基板上;依序形成闸极绝缘层与闸极层覆盖于半导体基板的整个表面上;形成一光罩于高电压电晶体领域的闸极层上,做为注入离子之用以曝露低电压电晶体领域的闸极层;注入一第二导电性杂质于已曝露之低电压电晶体领域之闸极层内;移去离子注入用的光罩;将闸极层与闸极绝缘层图型化以形成闸极于各电晶体领域;及注入一第二导电性杂质于包含闸极的半导体基板整个表面内,以形成源极/汲极领域于半导体基板上之各闸极两侧。2.如申请专利范围第1项之所述之方法,其中所述第一导电性基板为一P型半导体基板。3.如申请专利范围第1项之所述之方法,其中所述闸极层为选自一群包含不定形矽或聚合矽物质者。4.如申请专利范围第1项之所述之方法,其中所述闸极层所形成的厚度为1500至3000A。5.如申请专利范围第1项之所述之方法,其中所述注入于低电压电晶体领域之闸极层的第二导电性杂质为一N型杂质。6.如申请专利范围第5项所述之方法,其中所述N型杂质为磷。7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中杂质浓度大约在11015至11016离子/cm2的磷以20至120kev的能量注入于低电压电晶体领域之闸极层内。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中所述形成源极/汲极之杂质为砷。9.如申请专利范围第8项所述之方法,其中杂质浓度大约在11015至11016离子/cm2的砷以10至100kev的能量注入于包含闸极的半导体基板的整个表面内。10.一种制备半导体元件的方法,它具有高电压与低电压电晶体于单一半导体基板上,该方法所包括的步骤为:形成隔离高电压与低电压电晶体领域之膜层于第一导电性半导体基板上;依序形成闸极绝缘层与闸极层覆盖于半导体基板的整个表面上;形成一光罩于高电压电晶体领域的闸极层上,做为注入离子之用以曝露低电压电晶体领域的闸极层;注入一第二导电性杂质于已曝露之低电压电晶体领域之闸极层内;移去离子注入用的光罩;将闸极层与闸极绝缘层图型化以形成闸极于各电晶体领域;注入一低浓度第二导电性杂质于包含闸极的半导体基板的整个表面内;形成一隔离器于所有闸极的各侧壁上;及注入一高不纯性第二导电性杂质于整个半导体基板上以轻微掺杂之汲极结构形成源极/汲极于基板上的各闸极两侧。图式简单说明:第一图A与第一图B为说明传统具有高电压与低电压电晶体的半导体元件制备方法的步骤;及第二图A至第二图C为依照本发明较佳实施例制备具有高电压与低电压电晶体的半导体元件之方法中的步骤。 |
