| 主权项 |
1.一种在浅沟渠隔离形成圆化边角的方法,包括下列步骤:于矽基体上形成垫氧化矽及氮化矽;涂布光阻;利用光学微影蚀刻所述氮化矽及垫氧化矽以形成开口,使底下之所述矽基体露出;除去光阻;沈积聚合物铺盖整个表面;蚀刻所述聚合物,使所述开口内之所述矽基体再露出,同时在所述开口之侧壁留下聚合物间隙壁;蚀刻所述开口内露出之矽基体以形成沟渠;削去部份所述间隙壁,使得所述沟渠边缘之顶边角被圆化;以及去除残留之间隙壁。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中所述沈积聚合物的步骤系利用反应气体沈积制程者。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中所述反应气体沈积制程所使用的反应气体,与所述蚀刻聚合物的步骤所使用的反应气体系大致相同者。4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中所述沈积聚合物的步骤及蚀刻聚合物的步骤系在相同反应室中进行者。5.如申请专利范围第2或3项所述之方法,其中所述反应气体系包括CH3F者。6.如申请专利范围第2或3项所述之方法,其中所述反应气体系包括CH3F、CF4及O2者。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中所述沈积聚合物的步骤系在RIE反应室中进行者。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中所述蚀刻聚合物的步骤系在RIE反应室中进行者。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中所述蚀刻沟渠的步骤系利用RIE制程者。10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中所述削去部份间隙壁的步骤系利用RIE制程者。11.如申请专利范围第1项所述之方法,其中所述去除残留间隙壁之步骤系利用电浆烧化及湿蚀刻制程者。12.一种在浅沟渠隔离形成圆化边角的方法,包括下列步骤:于基体上形成非导电层;蚀刻所述非导电层以形成开口,使底下之所述基体露出;沈积聚合物铺盖整个表面;蚀刻所述聚合物,使所述开口内之所述基体再露出,同时在所述开口之侧壁留下聚合物间隙壁;蚀刻所述开口内露出之基体以形成沟渠;削去部份所述间隙壁,使得所述沟渠边缘之顶边角被圆化;以及去除残留之间隙壁。13.如申请专利范围第12项所述之方法,其中所述沈积聚合物的步骤系利用反应气体沈积制程者。14.如申请专利范围第13项所述之方法,其中所述反应气体沈积制程所使用的反应气体,与所述蚀刻聚合物的步骤所使用的反应气体系大致相同者。15.如申请专利范围第14项所述之方法,其中所述沈积聚合物的步骤及蚀刻聚合物的步骤系在相同反应室中进行者。16.如申请专利范围第13或14项所述之方法,其中所述反应气体系包括CH3F者。17.如申请专利范围第13或14项所述之方法,其中所述反应气体系包括CH3F、CF4及O2者。18.如申请专利范围第12项所述之方法,其中所述沈积聚合物的步骤系在RIE反应室中进行者。19.如申请专利范围第12项所述之方法,其中所述蚀刻聚合物的步骤系在RIE反应室中进行者。20.如申请专利范围第12项所述之方法,其中所述蚀刻沟渠的步骤系利用RIE制程者。21.如申请专利范围第12项所述之方法,其中所述削去部份间隙壁的步骤系利用RIE制程者。22.如申请专利范围第12项所述之方法,其中所述去除残留间隙壁之步骤系利用电浆烧化及湿蚀刻制程者。23.一种在半导体装置上形成浅沟渠隔离的方法,包括下列步骤:在基体上形成具有开口的层膜,所述开口内裸露所述基体;沈积聚合物铺盖整个表面;蚀刻所述聚合物,使所述开口内之所述基体再露出,同时在所述开口之侧壁留下聚合物间隙壁;蚀刻所述开口内露出之基体以形成沟渠;削去部份所述间隙壁,使得所述沟渠边缘之顶边角被圆化;去除残留之间隙壁;以及以绝缘物填充所述沟渠。24.如申请专利范围第23项所述之方法,其中所述沈积聚合物的步骤系利用反应气体沈积制程者。25.如申请专利范围第24项所述之方法,其中所述反应气体沈积制程所使用的反应气体,与所述蚀刻聚合物的步骤所使用的反应气体系大致相同者。26.如申请专利范围第25项所述之方法,其中所述沈积聚合物的步骤及蚀刻聚合物的步骤系在相同反应室中进行者。27.如申请专利范围第24或25项所述之方法,其中所述反应气体系包括CH3F者。28.如申请专利范围第24或25项所述之方法,其中所述反应气体系包括CH3F、CF4及O2者。29.如申请专利范围第23项所述之方法,其中所述沈积聚合物的步骤系在RIE反应室中进行者。30.如申请专利范围第23项所述之方法,其中所述蚀刻聚合物的步骤系在RIE反应室中进行者。31.如申请专利范围第23项所述之方法,其中所述蚀刻沟渠的步骤系利用非等向性蚀刻制程者。32.如申请专利范围第23项所述之方法,其中所述削去部份间隙壁的步骤系利用非等向性蚀刻制程者。33.如申请专利范围第23项所述之方法,其中所述去除残留间隙壁之步骤系利用电浆烧化及湿蚀刻制程者。图式简单说明:第一图系一较佳实施例的剖视图,说明形成圆化沟渠边角的步骤。 |
