| 主权项 |
1.一种反及闸型非依电性记忆体,包含一串接电路,由多数个由串联地连接之电晶体所组成的诸资料记忆体单元,以及多数个串联地连接,供字串选取以便在该多数个资料记忆体单元中选取一特定单元之诸空乏型与加强型电晶体所共同组成;其中一离子布植区形成于供字串选取之空乏型电晶体的源极与汲极区内;而且供字串选取之空乏型电晶体的源极与汲极区的接面深度比其余诸电晶体的源极与汲极的接面深度更大。2.如申请专利范围第1项之反及闸型非依电性记忆体,其中该离子布植区利用从磷与砷离子所构成的群中选取之离子而布植。3.一种反及闸型非依电性记忆体,其包含一串联电路,具有多数个由串联地连接之空乏型与加强型电晶体组成的供资料记忆体用之单元,以及多数个串联地连接,供字串选取之空乏型与加强型电晶体,以便在该等单元中选取一特定单元;其中一离子布植区仅形成于供字串选取之该空乏型电晶体的一汲极区内;而且该电晶体之该汲极区的接面深度比其余诸电晶体的源极与汲极的接面深度更大。4.如申请专利范围第3项之反及闸型非依电性记忆体,其中该离子布植区利用从磷与砷离子所构成的群中选取之离子而布植。图式简单说明:第一图为一传统的反及闸型非依电性记忆体装置的一局部等效电路;第二图为第一图之反及闸型非依电性记忆体装置的一平面图;第三图为沿着第二图的a-a'线所得的一截面图;第四图为依本发明的一实施例之反及闸型非依电性记忆体装置的一平面图;第五图为沿着第四图的b-b'线所得的一截面图;第六图为依本发明的另一实施例之反及闸型非依电性记忆体装置的一平面图;第七图为沿着第六图的c-c'线所得的一截面图。 |
