处理装置

摘要

设于容置台之插座端子系具有向下开口之导电性帽盖状构件所构成。插座端子系对于加热器之发热体以电气方式连接。在插座端子内压入有插头端子。插头端子系备有导电部与支撑部与绝缘管。在支撑部之周围配置有绝缘管。在支撑部与绝缘管之内周面间设有第１间隙。又，导电部之端面与绝缘管端面之间设有第２间隙。支撑部与绝缘管之下端系透过设于处理室底板之孔伸出于处理室外部。在绝缘管之周围装设有气体供给用附件。在气体供给用附件系包含绝缘管一部分之周围并且形成有与气体供给管子连通之凹处。存在于凹处内之绝缘管子之一部分，形成有孔，凹处与第１间隙为经由此等之孔互相连通。连通于凹处之气体供给管系连结于惰气供给源。惰气为从惰气供给源经由气体供给管，凹处，第１间隙及第２间隙供给给插座端子与插头端子之接触部附近。

主权项

1.一种处理装置,其特征为备有;在减压下进行被处理体之处理之处理室,与装设于上述处理室内,具有为了容置上述被处理体所用之容置面之容置构件,与具有凹部与备于该凹部之接点,对于上述被供电部以电气方式连接之插座端子,与可压入于上述插座端子之上述凹部,而被压入时接触于上述接点接触之插头端子,与在上述插座端子之接点与插头端子为互相接触部分附近供给惰气之惰气供给手段。2.如申请专利范围第1项之处理装置,其中,被供电部系设于容置构件之加热体。3.如申请专利范围第1项之处理装置,其中,被供电部系设于容置构件之容置面,而用来固持被处理体所用之静电夹具。4.如申请专利范围第1项之处理装置,其中,插头端子为备有;压入于插座端子之凹部时与接点接触之导电部,与支撑上述导电部之导电性支撑部,与配置于上述支撑部,与配置于上述支撑部周围之绝缘体,惰气供给手段为具备;形成于上述支撑部与上述绝缘构件间且在上述导电部附近具有开口部之间隙,与在上述间隙使惰气流入所用之供气路径,与连接于上述供气路径之惰气供给源。5.如申请专利范围第4项之处理装置,其中,从供气路径惰气流入间隙之点之压力为100Torr以上。6.如申请专利范围第4项之处理装置,其中,支撑部为在其一端连接了导电部而导电体,绝缘构件为较上述导电体外径具有更大内径之实质上呈圆柱状,上述绝缘构件为设于上述导电体之周围,并且,间隙为形成于上述导电体函上述绝缘构件之间。7.如申请专利范围第4项之处理装置,其中,供气路径为具备贯通孔,凹部函开口部之连接体,上述贯通孔系贯穿导电体及绝缘构件,上述凹部系包含上述被乾燥之绝缘构件之周围,上述开口部系连端上述凹部与上述连接体外部,及形成于上述绝缘构件之孔而经由该孔连通形成于上述凹部与上述支撑体及绝缘构件之间之间隙,具备连结于上述开口部之供气管。8.如申请专利范围第7项之处理装置,其中,在孔之压力为100Torr以上。图式简单说明:第一图系有关本发明之第1态样之张叶式之冷壁型之CVD装置以模式表示之剖面图。第二图系表示第一图所示CVD装置之容置台之剖面图。第三图系表示第一图所示CVD装置之容置台之斜视图。第四图系表示第一图所示CVD装置之供电用连接构造之剖面图。第五图系表示插头端子之要部之斜视图。第六图系表示有关本发明之CVD装置变形例之容置台要部之剖面图。